IRU3146
栅极驱动器的要求是几乎相同的两个
的MOSFET。逻辑电平的晶体管可用于与提醒
化，也可以采取器件在非常低的V
GS
以预
泄不希望导通的互补MOSFET的，
这在直通结果。
总功耗MOSFET的包括CON-
duction和开关损耗。对于降压转换器，
平均电感器电流等于直流
负载电流。导电损耗定义为：
P
COND
（上开关） = I
负载
×R
DS （ ON）
×D×
P
COND
（下开关） = I
负载
×R
DS （ ON）
×(1
- D)×
= R
DS （ ON）
温度依赖性
第r
DS （ ON）
温度依赖性应该是consid-
ERED为最坏的情况下操作。这通常是给定的
在MOSFET的数据表。确保导
损耗和开关损耗不超过封装
收视率或违反总体热预算。
选择IRF7457既用于控制和同步
MOSFET。此设备提供低导通电阻在一个COM
协议SOIC 8引脚封装。
在MOSFET具有以下数据：
IRF7457
V
DSS
= 20V
I
D
= 15A
R
DS （ ON）
= 7m
的总的导通损耗的每个输出将是：
P
CON （ TOTAL ， 2.5V ）
= P
CON （上部）
+ P
CON （ LOWER ）
P
CON （ TOTAL ， 2.5V ）
= 1.0W
P
CON （ TOTAL ， 1.8V ）
= P
CON （上部）
+ P
CON （ LOWER ）
P
CON （ TOTAL ， 1.8V ）
= 1.0W
开关损耗是更难以计算，甚至
虽然切换过渡是很好理解的。该
原因是寄生元件的影响，并
在切换程序的切换时间如
作为导通/关断延迟和上升时间和下降时间。该
控制MOSFET有助于广大的开关
荷兰国际集团在同步降压转换器的损失。该同步
异步的MOSFET在零电压条件开启
系统蒸发散，因此，开关损耗为同步
MOSFET可以忽略不计。用线性近似
灰，总开关损耗可以表示为：
10%
V
GS
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
2
2
P
SW
=
V
DS （关闭）
t
r
+
t
f
---(9)
×
×
I
负载
T
2
其中：
V
DS （关闭）
=漏极至源极电压在关断时间
t
r
=上升时间
t
f
=下降时间
T =开关周期
I
负载
=负载电流
V
DS
90%
图13 - 开关时间波形。
从IRF7457数据表中我们可以得到：
IRF7457
t
r
= 16ns的
t
f
= 7ns的
这些值是在一定的条件下测试采取。
欲了解更多详细信息，请参阅IRF7457数据表。
通过使用方程（9） ，我们可以计算出总开关
荷兰国际集团损失。
P
SW(TOTAL,2.5V)
= 0.414W
P
SW(TOTAL,1.8V)
= 0.414W
编程的过流限制
该过电流阈值可以通过连接一个被设置
电阻器（R
SET
）从低侧MOSFET的漏极连接到该
OCSET引脚。电阻器可以通过使用方程来计算
化（3） 。
第r
DS （ ON）
具有正温度系数，并将其
应该考虑的最坏的情况下操作。
R
DS （ ON）
= 7m×1.5 = 10.5m
I
SET
I
O（ LIM ）
= 10A×1.5 = 15A
（超过额定输出电流的50％ ）
这将导致到：
R
SET
= R
1
=R
6
=7.8K
12
www.irf.com
修订版1.1
6/25/04
