IRU3037 / IRU3037A
假设以下内容：
DV
= 1%(V
IN
） ，效率（ H）= 90 ％
1
f
S
V
O
3
I
O
I
IN
=
h 3
V
IN
Dt
= D
3
Dt
= 3.3ms
I
IN
= 2.93A
Di
1
V
OUT
;
Dt
= D3
;D=
Dt
f
S
V
IN
V
OUT
L = （V
IN
- V
OUT
)3
---(5)
V
IN
3Di3f
S
其中：
V
IN
=最大输入电压
V
OUT
·输出电压
i
=电感纹波电流
f
S
=开关频率
t
=启动时间
D =占空比
V
IN
- V
OUT
= L3
If
Di
= 20%(I
O
），则输出电感将是：
L = 7MH
在东光D124C系列提供了多种感应器
不同的值，低轮廓适合于大电流
10MH ， 4.2A是本应用的理想选择。这
将产生一个脉动输出的大约14％电流
租。
功率MOSFET选择
该IRU3037使用两个N沟道MOSFET 。在SE-
lections标准，以满足电力传输要求的
基于最大漏极 - 源极电压（V
DSS
） ，网关
源驱动电压（V
GS
） ，最大输出电流，开 -
电阻R
DS （ ON）
和热管理。
在MOSFET必须具有最大的工作电压
(V
DSS
）超过最大输入电压（V
IN
).
栅极驱动器的要求是几乎相同的两个
的MOSFET。逻辑电平的晶体管可用于与提醒
化，也可以采取器件在非常低的V
GS
以预
泄不希望导通的互补MOSFET的，
这将导致一个直通电流。
总功耗MOSFET的包括CON-
duction和开关损耗。对于降压转换器
平均电感器电流等于直流负载电流
租。导电损耗定义为：
P
COND
（上开关） = I
负载
3
R
DS （ ON）
3
D
3 q
P
COND
（下开关） = I
负载
3
R
DS （ ON）
3
(1 - D)
3 q
q
= R
DS （ ON）
温度依赖性
第r
DS （ ON）
温度依赖性应该是consid-
ERED为最坏的情况下操作。这通常是给定的
在MOSFET的数据表。确保导
损耗和开关损耗不超过封装
收视率或违反总体热预算。
2
2
通过使用等式（3） ，C
IN
= 193.3mF
对于高效率，低ESR电容。
选择两项100MF电容器。
三洋TPB系列POSCAP电容100MF ， 10V
以55mV ESR是一个不错的选择。
输出电容的选择
该标准来选择输出电容通常是
基于所述等效串联电阻的值
（ESR） 。在一般情况下，输出电容器必须具有较低的
足够的ESR ，以满足输出纹波和负载瞬态
要求，尚未有足够高的ESR ，以满足台站
相容性要求。输出电容的ESR是
计算由下面的关系式：
ESR
[
DV
O
DI
O
---(4)
其中：
DV
O
=输出电压纹波
DI
O
=输出电流
DV
O
= 100mV至
DI
O
=4A
结果的ESR = 25mV的
三洋TPC系列， POSCAP电容是一个很好的
的选择。该6TPC150M 150mF ， 6.3V有一个ESR为40mV 。
选择其中两个电容并联，结果
的ESR
为20mV其中实现我们的低ESR的目标。
电容器的值必须足够高，以吸收
电感的纹波电流。电容的值越大
器，下将输出纹波电压。
电感的选择
电感器是根据输出功率的选择是，作业
荷兰国际集团的频率和效率的要求。低电感
值会导致大的纹波电流，从而在更小的
大小，但效率差，高输出噪声。 Gener-
同盟，电感值的选择可以减少到
所需的最大纹波电流电感器（ ΔI ） 。该
最佳工作点一般在20％和50％的发现
纹波输出电流。
对于降压转换器，电感值所需
工作纹波电流可以通过跟着确定
降脂关系：
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修订版2.8
05/10/04
