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IS61LV12816
写周期NO 。 2
(1)
（我们控制。
OE
是高在写周期）
t
WC
地址
有效的地址
t
HA
OE
CE
低
t
AW
t
PWE1
WE
!
t
LZWE
高-Z
t
SA
UB ， LB
t
PWB
t
HZWE
D
OUT
数据中，未定义
＆ QUOT ;
#
$
t
SD
D
IN
t
HD
数据
IN
有效
写周期NO 。 3
（我们控制。
OE
为低电平时写周期）
t
WC
地址
有效的地址
%
t
HA
OE
CE
低
＆放大器;
'
低
t
AW
t
PWE2
WE
t
SA
UB ， LB
t
PWB
t
LZWE
t
HZWE
D
OUT
数据中，未定义
高-Z
9
t
SD
D
IN
t
HD
数据
IN
有效
集成电路解决方案公司
SR023_0C
