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IS61LV12816
写周期NO 。 4
(1,3)
（磅，
UB
控制，后端到回写）
t
WC
地址
地址1
t
WC
地址2
OE
t
SA
CE
低
WE
t
HA
t
SA
t
PWB
t
PWB
WORD 2
t
HA
UB ， LB
WORD 1
t
HZWE
D
OUT
高-Z
t
LZWE
t
HD
数据
IN
有效
数据中，未定义
t
SD
D
IN
t
SD
数据
IN
有效
t
HD
注意事项：
1.内部写入时间是由重叠定义
CE
= LOW ，
UB
和/或
LB
=低，
WE
=低。所有信号必须
在有效状态开始写，但任何可以拉高终止写入。该
t
SA
,
t
HA
,
t
SD
和
t
HD
时机
涉及到该终止写信号的上升沿或下降沿。
2.与测试
OE
高的前最少4纳秒
WE
= LOW放置在I / O处于高阻抗状态。
3.
WE
可以在多个地址周期和低电平保持
LB ， UB
引脚可以用来控制写入功能。
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集成电路解决方案公司
SR023_0C
