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IXSX50N60AU1
图7关断能源每脉冲和
下降时间在集电极电流
1000
T
J
= 125°C
R
G
= 10
IXSX50N60AU1S
的开启，关闭能源依赖图8
每脉冲和下降时间R上
G
12
1000
T
J
= 125°C
I
C
= 50A
10
8
E
关闭
t
fi
- 纳秒
t
fi
- 纳秒
750
E
关闭
9
800
E
关闭
- 毫焦耳
600
t
fi
6
4
2
0
500
t
fi
6
400
200
0
250
3
0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
10
20
30
40
50
I
C
- 安培
R
G
- 欧姆
图9栅极电荷特性曲线
15
I
C
= 50A
图10关断安全工作区
1000
12
V
CE
= 480V
100
I
C
- 安培
V
GE
- 伏特
T
J
= 125°C
9
6
3
0
10
1
0.1
0.01
R
G
= 22
的dV / dt < 6V / NS
0
50
100
150
200
250
0
100
200
300
400
500
600
700
Q
g
- nCoulombs
V
CE
- 伏特
图11瞬态热阻抗
1
热响应 - K / W
0.1
二极管
IGBT
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
时间 - SECONDS
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
E
关闭
- 毫焦耳
