V
CES
低V
CE （ SAT ）
IGBT
高速IGBT
IXSH / IXSM 25 N100
1000 V
IXSH / IXSM 25 N100A 1000 V
I
C25
50 A
50 A
V
CE （ SAT ）
3.5 V
4.0 V
短路SOA能力
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
t
SC
（ SCSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
g
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
J
= 125 ° C，R
G
= 4.7
钳位感性负载， L = 30
H
V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.6 V
CES
, T
J
= 125°C
R
G
= 33
,
不重复
T
C
= 25°C
最大额定值
1000
1000
±20
±30
50
25
100
I
CM
= 50
@ 0.8 V
CES
10
200
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
s
AD TO- 247 （ IXSH ）
G
C
E
TO- 204 AE （ IXSM ）
C
W
°C
°C
°C
G =门，
E =发射器，
C =收藏家，
TAB =收藏家
安装力矩
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
的TO- 204 = 18克， TO-247 = 6
300
°C
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1000
5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
8
250
1
±100
25N100
25N100A
3.5
4.0
V
V
A
mA
nA
V
V
特点
国际标准封装
保证短路SOA
能力
低V
CE （ SAT ）
- 低通态传导损耗
高电流处理能力
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
切换速度快下降时间
高达20千赫
q
q
q
q
q
q
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 3毫安， V
GE
= 0 V
= 2.5毫安， V
CE
= V
GE
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
应用
交流电机调速
不间断电源（ UPS ）
焊接
q
q
q
q
q
优势
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
高功率密度
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