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ATmega48/88/168
系统蒸发散在两种不同的操作。编程时间对于不同的模式
如表2所示。当EEPE设置，任何写EEPMn将被忽略。在复位过程中，
EEPMn位将复位为0b00 ，除非EEPROM处于编程。
表2中。
EEPROM模式位
EEPM1
0
0
1
1
EEPM0
0
1
0
1
程序设计
时间
3.4毫秒
1.8毫秒
1.8毫秒
–
手术
擦除和写入一次操作（原子操作）
仅删除
只写
留作将来使用
位3 - EERIE ： EEPROM就绪中断使能
清零EERIE将使能EEPROM准备好中断若SREG的I置位。
清零EERIE则禁止中断。 EEPROM就绪中断产生
当EEPE被清除恒中断。
位2 - EEMPE ： EEPROM写使能
在EEMPE位决定EEPE设置一个是否会导致EEPROM是
写的。当EEMPE设置，在四个时钟周期内设置EEPE将数据写入
EEPROM的指定地址;若EEMPE为零，设置EEPE将没有任何效果。
当EEMPE被写入到一个由软件，硬件清零后，该位为零
4个时钟周期。看到EEPE位的EEPROM写过程的描述。
位1 - EEPE ： EEPROM写使能
EEPROM写使能信号EEPE是写选通到EEPROM中。当
地址和数据的设置是否正确，对EEPE位必须写入到一个写
值到EEPROM 。在EEMPE位必须写入到一个逻辑之一就是前
写EEPE ，否则EEPROM写操作为止。下面的过程
应遵循当写入EEPROM中（步骤3和4的顺序并不
必需） ：
1.等待EEPE变为零。
2.等待SELFPRGEN在SPMCSR变为零。
3.将新的EEPROM地址写入EEAR （可选）。
4.将新的EEPROM数据写入EEDR （可选）。
5.写，而写一个零EECR到EEPE逻辑一到EEMPE位。
6.在四个时钟周期内设置EEMPE之后，写了一个合乎逻辑的一个EEPE 。
该EEPROM不能在CPU写Flash存储器的过程中进行编程。该
软件必须检查Flash编程结束开始新的前
EEPROM写。如果该软件包含引导程序，允许第2步是唯一的相关
在CPU对Flash进行编程。如果Flash是永远不会被通过CPU进行更新，步骤2
可以省略。请参阅“支持引导装入程序 - 同时读 - 写自编程，
有关引导程序的详细信息255页上的ATmega88与ATmega168 “ 。
注意事项：
步骤5和6之间的中断将导致写操作失败，因为
EEPROM写使能操作将超时。如果一个中断程序访问
EEPROM是打断了另一个EEPROM操作， EEAR或EEDR注册会
修改，引起EEPROM操作失败。建议有
在所有的步骤，以避免这些问题的全局中断标志清除。
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2545D–AVR–07/04
