数据存储器访问时间
本节介绍的访问时序内部存储器的访问。
内部数据SRAM访问时间为两个CLK进行
中央处理器
次如Figure
10.
网络连接gure 10 。
片上数据SRAM访问周期
T1
T2
T3
CLK
中央处理器
地址
数据
WR
数据
RD
计算地址
地址有效
存储器访问指令
下一条指令
EEPROM数据存储器
ATmega32具有1024字节数据EEPROM存储器。它是作为一个sep-
独的数据空间，在其中，可以按字节读写。 EEPROM中有一个
续航能力至少100,000次写/擦除周期。的EEPROM之间的访问
并且CPU在下文中进行描述的，指定的EEPROM地址寄存器，
EEPROM数据寄存器和EEPROM控制寄存器。
“存储器编程”页254包含EEPROM亲的详细说明
编程的SPI ， JTAG ，或Parallell编程模式。
EEPROM读/写访问
EEPROM的访问寄存器位于I / O空间。
EEPROM的写访问时间列于表1 ，一种自定时功能
以往，可以让用户软件监测何时开始的字节可写。如果用户代码
包含操作EEPROM ，有些必须采取预防措施。在
严格的滤波电源，V
CC
有可能上升或下降缓慢上电/下。这
会导致器件在一段时间以低于指定为电压运行
最小为所用的时钟频率。请参见“防止EEPROM腐败”
20如何避免在这些情况下，问题的详细信息。
为了防止无意识的EEPROM写，具体写程序必须跟着
时序。指的是EEPROM控制寄存器有关细节的描述。
当EEPROM被读取时， CPU会先下一停止4个时钟周期
指令被执行。当EEPROM写入，CPU会停止工作2个
在下一个指令周期之前被执行。
16
ATmega32(L)
2503F–AVR–12/03
读
写
