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ATmega162/V
当使用带预减和后间接寻址模式
增量，地址寄存器X，Y和Z的增加或减少。
在32个通用工作寄存器， 64 （ 160 ） I / O寄存器及1024个字节
内部数据SRAM中的ATmega162的是，通过这些解决所有访问
模式。寄存器文件中的“通用寄存器文件”第10页上的说明。
图9 。
数据存储器映射
内存配置
数据存储器
32个寄存器
64个I / O寄存器
160外部I / O寄存器。
内部SRAM
(1024 x 8)
0x04FF
0x0500
外部SRAM
（ 0 - 64K ×8 ）
外部SRAM
（ 0 - 64K ×8 ）
为0x0000 - 0x001F
0×0020 - 0x005F
0x0060 - 0x00FF
0x0100
内存配置B
数据存储器
32个寄存器
64个I / O寄存器
内部SRAM
(1024 x 8)
0x045F
0x0460
为0x0000 - 0x001F
0×0020 - 0x005F
0x0060
0xFFFF
0xFFFF
数据存储器访问时间
本节介绍的访问时序内部存储器的访问。
内部数据SRAM访问时间为两个CLK进行
中央处理器
次如Figure
10.
网络连接gure 10 。
片上数据SRAM访问周期
T1
T2
T3
CLK
中央处理器
地址
数据
WR
数据
RD
计算地址
地址有效
存储器访问指令
下一条指令
读
写
17
2513F–AVR–12/03
