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SRAM数据存储器
图9显示了ATmega162的SRAM空间的组织结构。内存的配置
灰B指ATmega161的兼容模式，配置A到非
兼容模式。
该ATmega162的是一个复杂的微处理器，更外围设备相比，可以
在64的位置，在操作码的IN和OUT指令保留的支持。
对于扩展的I / O空间0x60 - 0xFF的SRAM中，只能使用ST / STS / STD和
LD / LDS / LDD指令都可以使用。扩展I / O空间不存在时，
ATmega162的是在ATmega161的兼容模式。
在正常模式下，第一个1280个数据存储器包括了寄存器文件，
在I / O存储器，扩展的I / O存储器及内部数据SRAM 。第32某些地区可能
系统蒸发散了寄存器文件，然后是64个标准I / O存储器，接着160
扩展I / O存储器，接着是1024字节的内部
数据SRAM 。
与ATmega161兼容模式下，较低的1120个数据存储器的
寄存器文件，I / O存储器及内部数据SRAM 。前96个位置
地址为寄存器文件和I / O存储器，接着是1024个地址为
内部数据SRAM 。
可选的外部数据SRAM可以使用与ATmega162的。这将SRAM
占据在64K的地址空间上的剩余地址单元中的区域。这个区域
在开始下面的内部SRAM的地址。寄存器文件， I / O ，扩展I / O
和内部SRAM采用了占据在正常模式下最低1280字节，
在ATmega161的兼容模式最低1120字节（扩展I / O不存在） ，因此
使用64KB （ 65,536字节）外部存储器中， 64256字节的外部存储器时，
在正常模式下可用， 64416字节与ATmega161兼容模式。看
“外部存储器接口”第24页的详细信息，如何利用优势
外部存储器映射。
当访问SRAM存储器空间中的地址超过内部数据
存储单元，所述外部数据SRAM被用作为同一指令访问
对于内部数据存储器的访问。当内部数据存储器进行访问，
读与写选通引脚（ PD7和PD6 ）是在整个访问非活动
周期。外部SRAM通过设置MCUCR的SRE位启用
注册。
访问外部SRAM要多一个额外的时钟周期比访问
内部SRAM 。这意味着，命令LD ， ST ， LDS ， STS ， LDD ， STD ，
PUSH ，并需要额外的一个时钟周期。如果堆栈放置在外部
SRAM ，中断，子程序调用和返回需要三个时钟周期，因为有
2个字节的程序计数器入栈和出栈，以及外部存储器访问不
采取内部管道内存访问的优势。当外部SRAM接口
使用的等待状态时， 1字节的外部访问带有两个，三个或四个附加
分别的时钟周期为一个，两个，和三个等待状态。中断，子程序调用
并返回需要五，七，九个时钟周期多在指令超过规定
中置手册一，二，三等待状态。
对于数据存储器的五个不同的寻址方式：直接寻址，带偏移
安置，间接寻址，带预减量和间接后增量。在
寄存器文件中的寄存器R26到R31为间接寻址的指针寄存器。
直接寻址范围可达整个数据空间。
间接与位移模式，达到从基地63个地址
由Y轴或Z寄存器指定的地址。
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ATmega162/V
2513F–AVR–12/03
