ATmega162/V
EEPROM数据寄存器 -
EEDR
位
7
最高位
读/写
初始值
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
6
5
4
3
2
1
0
最低位
读/写
0
EEDR
位7..0 - EEDR7.0 ： EEPROM数据
对于EEPROM写操作， EEDR寄存器包含将要写入的数据
在EEPROM中的寄存器EEAR给出的地址。对于EEPROM读操作
ATION ， EEDR是包含从EEPROM中读出由下式给出的地址中的数据
EEAR 。
EEPROM控制寄存器
- EECR
位
7
–
6
–
R
0
5
–
R
0
4
–
R
0
3
EERIE
读/写
0
2
EEMWE
读/写
0
1
EEWE
读/写
X
0
EERE
读/写
0
EECR
读/写
初始值
R
0
位7..4 - Res：保留位
这些位是保留位在ATmega162的，读为零。
位3 - EERIE ： EEPROM就绪中断使能
清零EERIE将使能EEPROM准备好中断若SREG的I置位。
清零EERIE则禁止中断。 EEPROM就绪中断产生
当EEWE清零恒中断。
位2 - EEMWE ： EEPROM写使能
该EEMWE位决定设置EEWE一个是否会导致EEPROM是
写的。当EEMWE置位，在四个时钟周期内设置EEWE将把数据写入到
EEPROM的指定地址。如果EEMWE为零，设置EEWE将没有任何效果。
当EEMWE置一个由软件，硬件清零后，该位为零
4个时钟周期。看到EEWE位的EEPROM写过程的描述。
位1 - EEWE ： EEPROM写使能
EEPROM的写使能信号EEWE是写选通到EEPROM中。当
地址和数据的设置是否正确，对EEWE位必须写入到一个写
值到EEPROM 。该EEMWE位必须写入到一个逻辑之一就是前
写EEWE ，否则EEPROM写操作为止。下面的过程
应遵循当写入EEPROM中（步骤3和4的顺序并不
必需） ：
1.等待EEWE变为零。
2.等待SPMEN在SPMCSR寄存器变为零。
3.将新的EEPROM地址写入EEAR （可选）。
4.将新的EEPROM数据写入EEDR （可选）。
5.写，而写一个零EECR到EEWE逻辑一到EEMWE位。
6.在四个时钟周期内设置EEMWE后，写了一个合乎逻辑的一个EEWE 。
该EEPROM不能在CPU写Flash存储器的过程中进行编程。该
软件必须检查Flash编程结束开始新的前
EEPROM写。如果该软件包含引导程序，允许第2步是唯一的相关
在CPU对Flash进行编程。如果Flash是永远不会被通过CPU进行更新，步骤2
19
2513F–AVR–12/03
