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4.给XTAL1提供一个正脉冲。加载命令。
B：加载地址高字节
1.将XA1 ， XA0为“00” 。启动地址加载。
2.设置的BS为“1” 。这将选择高字节。
三组数据=地址高字节（ 00美元 - $ 0.01） 。
4.给XTAL1提供一个正脉冲。加载地址高字节。
C：加载地址低字节
1.将XA1 ， XA0为“00” 。启动地址加载。
2.设置的BS为“0” 。这将选择低字节。
三组数据=地址低字节（ 00美元 - $ FF ） 。
4.给XTAL1提供一个正脉冲。加载地址低字节。
D：加载数据低字节
1.将XA1 ， XA0为“01” 。这使得数据加载。
2.设置DATA =数据低字节（ 00美元 - $ FF ） 。
3.给XTAL1提供一个正脉冲。加载数据低字节。
E：写数据低字节
1.将BS置“0”。这将选择较低的数据。
2.给WR提供一个负脉冲。这将启动数据字节编程。 RDY / BSY
变低。
3.等到RDY / BSY变高编程的下一个字节。
（参见图31为信号波形）。
F：加载数据高字节
1.将XA1 ， XA0为“01” 。这使得数据加载。
2.设置DATA =数据高字节（ 00美元 - $ FF ） 。
3.给XTAL1提供一个正脉冲。加载数据高字节。
G：写入数据高字节
1.将BS置“1”。这将选择较高的数据。
2.给WR提供一个负脉冲。这将启动数据字节编程。 RDY / BSY
变低。
3.等到RDY / BSY变高编程的下一个字节。
（参见图32为信号波形）。
所加载的命令及地址编程期间被保留在设备中。为
实现高效的编程应考虑以下因素：
该命令只需要写入或读取多个内存时加载一次
位置。
地址高字节只需要编写一个新的256字的页面之前加载
在Flash中。
跳过写入的数据值$ FF ;即，整个Flash内容和
芯片擦除后EEPROM 。
这些注意事项同样适用于EEPROM的编程和Flash ， EEPROM和
签名字节读。
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AT90S1200
0838H–AVR–03/02
