AN80xx / AN80xxM系列
I
在T电气特性
a
=
25 ° C（续）
AN8045 ， AN8045M （ 4.5V型）
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
最小输入/输出电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
V
O
/T
a
T
j
=
25°C
V
I
=
5 10.5V ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至40mA ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至50mA ，T
j
=
25°C
V
I
=
4.3V ，我
O
=
20毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
4.3V ，我
O
=
50毫安，T
j
=
25°C
I
O
=
0毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
5.5 7.5V ，女
=
120Hz
f
=
10Hz至100kHz
T
j
= 30
to
+125°C
54
条件
民
4.32
典型值
4.5
4
11
23
0.07
0.12
0.7
66
85
0.23
最大
4.68
50
35
45
0.2
0.3
1
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
V
毫伏/°C的
注1 ）指定的条件牛逼
j
=
25℃是指试验应进行内如此短的测试时间（ 10ms内） ，该
特征值漂移由于芯片的结温升高，可以忽略。
注2）除非另有说明，V
I
=
5.5V ，我
O
=
20毫安和C
O
=
10F.
AN8005 ， AN8005M （ 5V型）
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
最小输入/输出电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
V
O
/T
a
T
j
=
25°C
V
I
=
5.5 11V ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至40mA ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至50mA ，T
j
=
25°C
V
I
=
4.8V ，我
O
=
20毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
4.8V ，我
O
=
50毫安，T
j
=
25°C
I
O
=
0毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
6 8V ，女
=
120Hz
f
=
10Hz至100kHz
T
j
= 30
to
+125°C
52
条件
民
4.8
典型值
5
4.5
12
25
0.07
0.12
0.7
64
95
0.25
最大
5.2
50
40
50
0.2
0.3
1
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
V
毫伏/°C的
注1 ）指定的条件牛逼
j
=
25℃是指试验应进行内如此短的测试时间（ 10ms内） ，该
特征值漂移由于芯片的结温升高，可以忽略。
注2）除非另有说明，V
I
=
6V ，我
O
=
20毫安和C
O
=
10F.
AN8006 ， AN8006M （ 6V型）
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
最小输入/输出电压差
偏置电流
纹波抑制比
输出噪声电压
输出电压温度COEF网络cient
符号
V
O
REG
IN
REG
L
V
DIF （分钟）
I
BIAS
RR
V
no
V
O
/T
a
T
j
=
25°C
V
I
=
6.5 12V ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至40mA ，T
j
=
25°C
I
O
=
1至50mA ，T
j
=
25°C
V
I
=
5.8V ，我
O
=
20毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
5.8V ，我
O
=
50毫安，T
j
=
25°C
I
O
=
0毫安，T
j
=
25°C
V
I
=
7 9V ，女
=
120Hz
f
=
10Hz至100kHz
T
j
= 30
to
+125°C
51
条件
民
5.76
典型值
6
5.5
13
28
0.07
0.13
0.7
63
105
0.3
最大
6.24
60
45
55
0.2
0.3
1.2
单位
V
mV
mV
mV
V
V
mA
dB
V
毫伏/°C的
注1 ）指定的条件牛逼
j
=
25℃是指试验应进行内如此短的测试时间（ 10ms内） ，该
特征值漂移由于芯片的结温升高，可以忽略。
注2）除非另有说明，V
I
=
7V ，我
O
=
20毫安和C
O
=
10F.
4
SFF00007CEB
