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128MB DDR SDRAM
8Mx16
符号
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2F
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6
正常
低功耗
IDD7
K4H281638B-TCA2
(DDR266A)
典型
90
140
21
40
30
25
45
210
150
195
2
1
300
最差
95
155
25
45
35
30
50
245
165
210
2
1
340
K4H281638B-TCB0
(DDR266B)
典型
90
140
21
40
30
25
45
210
150
195
2
1
300
最差
95
155
25
45
35
30
50
245
165
210
2
1
340
K4H281638B-TCA0
(DDR200)
典型
80
135
20
35
27
20
35
155
110
180
2
1
275
最差
85
150
24
40
32
25
40
175
125
190
2
1
300
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
可选
单位
笔记
表12. 128Mb的DDR SDRAM IDD技术参数表
<详细的测试条件为DDR SDRAM IDD1 & IDD7 >
IDD1 ：工作电流：一家银行的操作
1.典型案例： VDD = 2.5V ， T = 25'C
2.最差情况： VDD = 2.7V ， T = 10'C
3.只有一个银行存取真相与和解委员会（分钟） ，连拍模式，地址和控制对NOP边输入一次改变
每个时钟周期。糊涂人= 0毫安
4.定时模式
- DDR200 （ 100MHz时CL = 2 ） ： TCK = 10ns的， CL2 ， BL = 4的tRCD = 2 * TCK， tRAS的= 5 * TCK
阅读： A0 R0 NN P0 A0 N - 随机地址变更重复同样的时间
*数据的50 ％，改变在每个爆
- DDR266B （ 133Mhz的， CL = 2.5 ） ： TCK = 7.5ns ， CL = 2.5 ， BL = 4的tRCD = 3 * TCK，的tRC = 9 * TCK， tRAS的= 5 * TCK
阅读： A0 NN R0 P0 NNN A0 N - 随机地址变更重复同样的时间
*数据的50 ％，改变在每个爆
- DDR266A （ 133Mhz的， CL = 2 ） ： TCK = 7.5ns ， CL = 2 ， BL = 4的tRCD = 3 * TCK，的tRC = 9 * TCK， tRAS的= 5 * TCK
阅读： A0 NN R0 P0 NNN A0 N - 随机地址变更重复同样的时间
*数据的50 ％，改变在每个爆
注： A =激活， R =读取，W =写， P =预充电， N = NOP
- 42 -
REV 。 1.0月。 2. 2000
