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128MB DDR SDRAM
3.3.8写一个预充电& DM中断
突发写入操作可以在突发结束前由同一家银行的预充电而中断。
随机列允许访问。写恢复时间（ tWR的）从最后的数据到预充电所需的
命令。当预充电命令被断言，从猝发写周期中的任何残余的数据必须是
通过DM屏蔽。
<突发长度= 8 >
CK
CK
命令
的DQ
t
WPRES*5
t
WR
DINA
0
DINA
1
DINA
2
DINA
3
DINA
4
DINA
5
DINA
6
DINA
7
DINB
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
NOP
写一个
NOP
NOP
NOP
NOP
预充电
WRITEB
NOP
t
DQSSmax
DQ
′s
t
DQSSmin
的DQ
DQ
′s
DM
t
WPRES*5
DINA
0
DINA
1
DINA
2
DINA
3
DINA
4
DINA
5
DINA
6
DINA
7
DINB
0
DINB
1
图16.写一个预充电和DM定时中断
在DRAM的写入操作预充电时间需要足够的时间，让“写恢复”，这是
由DRAM芯所需的时间来正确地存储一个完整的“0”或“1”的预充电操作之前的水平。对于DDR
SDRAM中，一个定时参数， tWR的，用于指示所需的时间量的最后一个有效的写操作之间
操作和预充电命令，相同的银行。
对于写操作的预充电时序是一个复杂的定义，因为写数据是由数据选通取样和
该地址是通过对输入时钟进行采样。内的SDRAM中，数据路径最终与同步
寻址路径从数据选通时钟域转换到输入时钟域切换时钟域。
这使得当一个预充电操作可以写入后的由于非常复杂的启动的定义
写恢复参数必须引用仅用于时间的内部写入操作的时钟域，
即，输入时钟域。
tWR的该选通中的最后一个有效数据的最后一个可能的DQS边沿之后开始对时钟上升沿和
端部上的上升时钟沿该选通，在预充电命令。
1.为了尽早预充电命令之后写一阵不中断破灭，
最小时间写恢复由tWR的限定。
2.当预充电命令的中断写脉冲串操作中，数据掩蔽针，DM，用于屏蔽
在过去有效的写数据和时钟上升沿之间的时间间隔输入数据在其上
预充电命令发出。在此期间， DQS输入仍然需要在DM的状态，以选通。
的最小时间写恢复由tWR的限定。
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REV 。 1.0月。 2. 2000
