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DDR SDRAM堆叠千兆C-模（ X4 / X8 ）
4.0引脚说明
DDR SDRAM
st.128Mb ×8
st.256Mb ×4
V
DD
DQ
0
V
DDQ
NC
DQ
1
V
SSQ
NC
DQ
2
V
DDQ
NC
DQ
3
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
V
DD
NC
NC
WE
CAS
RAS
CS0
CS1
BA
0
BA
1
AP / A
10
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
V
DD
NC
V
DDQ
NC
DQ
0
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
DQ
1
V
SSQ
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
V
DD
NC
NC
WE
CAS
RAS
CS0
CS1
BA
0
BA
1
AP / A
10
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
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14
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16
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19
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25
26
27
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29
30
31
32
33
66
65
64
63
62
61
60
59
58
V
SS
NC
V
SSQ
NC
DQ
3
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
NC
DQ
2
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
的DQ
NC
V
REF
V
SS
DM
CK
CK
CKE0
CKE1
A
12
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
V
SS
DQ
7
V
SSQ
NC
DQ
6
V
DDQ
NC
DQ
5
V
SSQ
NC
DQ
4
V
DDQ
NC
NC
V
SSQ
的DQ
NC
V
REF
V
SS
DM
CK
CK
CKE0
CKE1
A
12
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
66Pin TSOPII
（ 400mil X 875mil ）
（ 0.65毫米引脚间距）
银行地址
BA0~BA1
自动预充电
A10
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
堆叠1Gb的TSOP- II封装引脚
组织
st.256Mx4
st.128Mx8
行地址
A0~A12
A0~A12
列地址
A0-A9, A11, A12
A0-A9, A11
DM在内部装载匹配DQ和DQS相同。
行&列地址的配置
修订版1.1月。 2005年
