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DDR SDRAM堆叠千兆C-模（ X4 / X8 ）
21.0组件的注意事项
1.所有电压参考VSS 。
DDR SDRAM
2.在测量交流时间，国际直拨电话，以及电气，交流和直流性能，可在标称参考/电源电压电平进行，
但相关的规范和设备操作，保证所指定的全电压范围。
3.图1表示在定义的部分的相关的定时参数所使用的定时基准负荷。它不旨在是
典型的系统环境的任何一个精确的表示，也不实际负载的描绘由生产呈现
测试仪。系统设计人员将使用IBIS或其他仿真工具关联的时序参考负载的系统环境。
制造商将关联到它们的生产试验条件下（通常为同轴传输线端接在测试仪elec-
TRONICS ） 。
VDDQ
50
产量
（VOUT ）
30pF
图1 ：时序参考负载
4. AC时序和IDD测试可以使用VIL高至1.5 V在测试环境中VIH如火如荼，但投入时间仍参照
VREF （或交叉点CK / CK ） ，和参数规格下的去甲保证指定的交流输入电平
MAL使用条件。最小压摆率的输入信号是在VIL （交流）和VIH （交流）之间的范围为1伏/毫微秒。
5.交流和直流输入电平规格如SSTL_2标准定义（即接收器将有效地转换为结果
过路的交流输入电平，并保持该状态，只要信号不回铃上（下）直流信号
输入低（高）级。
6.输入无法识别的有效期至VREF稳定。例外：在此期间前VREF稳定， CKE
≤
0.2VDDQ是
确认为低。
7.启用on.chip刷新和地址计数器。
8. IDD规格测试后，该设备已正确初始化。
9. CK / CK输入参考电平（参照CK / CK的定时）是在该点CK和CK交叉;输入的参考电平
对于信号比CK / CK等，为VREF 。
10.输出时序参考电压电平是VTT 。
11.太赫兹和TLZ跃迁发生在相同的访问时间窗作为有效数据的转换。这些参数不是引用
一个特定的电压电平，但指定当该装置输出不再找到（HZ） ，或者开始驱动（LZ） 。
12.最大限制这个参数不是一个设备的限制。该装置将具有更大的价值。此参数，但SYS
TEM的性能（总线周转）将相应降低。
13.具体要求是， DQS有效（高，低，或在上一个有效过渡某些点）上或该CK边缘之前。一
有效转变被定义为单调的，并满足该设备的输入端电压变化率规范。在没有写是PREVI
ously在总线上的进步， DQS将TRAN sitioning从高Z到逻辑低电平。如果先前写在进步， DQS可以
有高，低，或转换从高电平变为低电平，此时，取决于tDQSS 。
14.最多八个自动刷新命令可以发布到任何给定的DDR SDRAM器件。
15.对于命令/地址输入转换率
≥
1.0 V / ns的
16.命令/地址输入转换率
≥
0.5 V / ns的和
＆ LT ;
1.0 V / ns的
修订版1.1月。 2005年
