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K4M56323LE - M（ E） E / N / S / C / L / R
DC特性
移动SDRAM
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= -25至85°C扩展级， -25+ 70℃商业）
VERSION
参数
符号
测试条件
-80
工作电流
（一银行活动）
预充电待机电流在
掉电模式
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
O
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
-1H
-1L
单位
记
I
CC1
140
140
130
mA
1
I
CC2
P
1.2
mA
1.2
20
mA
10
8
mA
8
45
mA
I
CC2
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC2
N
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
预充电待机电流
在非掉电模式
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC2
NS
输入信号是稳定的
I
CC3
P
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
主动待机电流
在掉电模式
I
CC3
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC3
N
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
I
O
= 0毫安
第一阵
4Banks激活
t
CCD
= 2CLKs
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
-E / C
-N / L
主动待机电流
在非掉电模式
（一银行活动）
I
CC3
NS
40
mA
工作电流
（突发模式）
I
CC
4
180
150
150
mA
1
刷新当前
I
CC
5
300
290
1500
270
mA
uA
2
4
5
1000
最多40
600
500
450
最大七十分之八十五
1000
800
700
uA
°C
自刷新电流
I
CC
6
CKE
≤
0.2V
-S / R
内部TCSR
4Banks
2Banks
1Bank
3
6
注意事项：
1.测量与产出开放。
2.刷新周期是64毫秒。
3.内部TCSR可以得到支持。
在商用温度：最高40 ° C /最大70° C，在扩展温度：最高40 ° C /最大85°C
4. K4M56323LE -M （E ）电子/ C **
5. K4M56323LE -M （ E） N / L **
6. K4M56323LE -M （ E） S / R **
7.除非另有说明，输入摆动IeveI是CMOS （VIH / VIL = VDDQ / VSSQ ） 。
2004年2月
