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K4S281632D
DC特性
（推荐的工作条件，除非另有说明，T
A
= 0 70℃ ）
参数
符号
测试条件
-55
工作电流
（一银行活动）
预充电待机电流
租在掉电模式
I
CC1
I
CC2
P
I
CC2
PS
I
CC2
N
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
O
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
130
-60
130
CMOS SDRAM
VERSION
-7C
110
2
2
20
-75
-1H -1L
单位注
100 100 100
mA
1
mA
预充电待机电流
租在非掉电
模式
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
I
CC2
NS
输入信号是稳定的
I
CC3
P
I
CC3
PS
I
CC3
N
I
CC3
NS
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
I
O
= 0毫安
第一阵
4Banks激活
t
CCD
= 2CLKs
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
CKE
≤
0.2V
C
L
mA
10
5
5
30
25
mA
mA
在活动待机电流
掉电模式
mA
在活动待机电流
非掉电模式
（一银行活动）
工作电流
（突发模式）
刷新当前
自刷新电流
I
CC4
150
150
140
140 130 130
mA
1
I
CC5
I
CC6
220
220
220
2
200 190 190
mA
mA
uA
2
3
4
800
注意事项：
1.测量与产出开放。
2.刷新周期是64毫秒。
3. K4S281632D -TC **
4. K4S281632D -TL **
5.除非另有说明，输入摆动IeveI是CMOS （Ⅴ
IH
/V
IL
=V
DDQ
/V
SSQ ）
REV 。 2001年九月0.1
