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K4S280832C
大4M x 8位×4银行同步DRAM
特点
JEDEC标准的3.3V电源
LVTTL与复用地址兼容
四家银行的操作
MRS循环地址重点项目
- 。 CAS延迟时间（ 2 & 3 ）
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 。突发类型（顺序&交错）
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作
DQM用于屏蔽
自动&自我刷新
64ms的刷新周期（ 4K周期）
CMOS SDRAM
概述
该K4S280832C是134217728位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 4,194,304字×8位，
制造与三星的高性能CMOS技
术。同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟的I / O事务都可能在每个时钟
周期。工作频率范围，可编程突发
长度和可编程延迟允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的，高性能的MEM
储器系统的应用程序。
订购信息
产品型号
K4S280832C-TC/L75
K4S280832C-TC/L1H
K4S280832C-TC/L1L
最大频率。
133MHz(CL=3)
100MHz(CL=2)
100MHz(CL=3)
LVTTL
接口封装
54
TSOP （II）的
功能框图
I / O控制
LWE
数据输入寄存器
LDQM
BANK SELECT
4M ×8
SENSE AMP
4M ×8
4M ×8
4M ×8
刷新计数器
输出缓冲器
行解码器
行缓冲区
DQI
地址寄存器
CLK
添加
列解码器
上校缓冲区
延迟&突发长度
LRAS
LCBR
LCKE
LRAS
LCBR
LWE
LCAS
编程注册
LWCBR
LDQM
注册时间
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
*三星电子保留随时更改产品或规格，恕不另行通知。
修订版0.0 2000年3月
