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K6F2008V2E家庭
文档标题
CMOS SRAM
256Kx8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
修订历史
修订历史号
0.0
1.0
1.1
最初的草案
敲定
草案日期
2001年7月19日
2001年9月27日
备注
初步
最终科幻
最终科幻
修订
2003年5月13日
- 增加了无铅（ LF ），产品32 TSOP1-0813.4F （ LF ）封装。
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版1.1
2003年5月
