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K6R1004V1D
AC特性
(T
A
= 0至70℃ ，V
CC
= 3.3 ±0.3V ，除非另有说明。 ）
测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
初步
初步
对于AT&T
CMOS SRAM
价值
0V至3V
3ns
1.5V
见下文
输出负载（ A）
输出负载（ B）
对于T
HZ
, t
LZ
, t
WHZ
, t
OW
, t
OLZ
＆放大器;牛逼
OHZ
R
L
= 50
+3.3V
D
OUT
V
L
= 1.5V
Z
O
= 50
30pF*
D
OUT
319
353
5pF*
*容性负载包含的所有组件
测试环境。
*包括范围和夹具电容
读周期*
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片选择到功率停机
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
PU
t
PD
K6R1004V1D-08
K6R1004V1D-10
民
8
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
8
8
4
-
-
4
4
-
-
8
民
10
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
10
10
5
-
-
5
5
-
-
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*以上参数也保证在工业级温度范围。
-5-
修订版3.0
2004年7月
