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K6R1004V1D
文档标题
64Kx16位高速CMOS静态RAM （ 3.3V工作）
工作在商用和工业温度范围。
初步
初步
对于AT&T
CMOS SRAM
修订历史
版本号
修订版0.0
修订版0.1
修订版0.2
1.0版
历史
最初的文件。
速度斌修改
目前修改
1.最终数据发布
2.删除速度为12ns仓。
3.更改Icc的工业模式。
项
前
8ns
100mA
I
CC （工业）
10ns
85mA
1.删除UB ， LB releated时序图。
1.添加无铅封装类型。
数据稿
五月。 11. 2001年
六月。 18. 2001
九月。 9. 2001年
十二月。 18. 2001
当前
90mA
75mA
六月。 19. 2002年
七月。 26，2004
最终科幻
最终科幻
备注
初步
初步
初步
最终科幻
修订版2.0
修订版3.0
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
修订版3.0
2004年7月
