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K6R1004V1D
注（ READ
循环）
初步
初步
对于AT&T
CMOS SRAM
1.我们是高读周期。
2.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
3. t
HZ
和T
OHZ
被定义为在所述输出达到开路状态而没有被引用到V的时间
OH
or
V
OL
的水平。
4.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZ
（最大）小于吨
LZ
（分钟）都对于给定的设备和从设备到
装置。
5.转换测量
±200mV
从稳态电压与负载（B ） 。这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
6.设备，不间断地与CS = V选择
IL 。
7.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读写周期。
写周期时序波形（ 1 ）
（ OE =时钟）
t
WC
地址
t
AW
OE
t
CW(3)
CS
t
AS(4)
WE
t
DW
DATA IN
高-Z
t
OHZ(6)
数据输出
High-Z(8)
有效数据
t
DH
t
WP(2)
t
WR(5)
写周期时序波形（ 2 ）
（ OE =低固定）
t
WC
地址
t
AW
CS
t
AS(4)
WE
t
DW
DATA IN
高-Z
t
WHZ(6)
数据输出
High-Z(8)
有效数据
t
OW
(10)
(9)
t
CW(3)
t
WP1(2)
t
WR(5)
t
DH
-7-
修订版3.0
2004年7月
