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K6R1004C1D
文档标题
初步
初步
CMOS SRAM
256Kx4位（与OE ）高速CMOS静态RAM （ 5.0V工作） 。
修订历史
版本号
修订版0.0
修订版0.1
修订版0.2
历史
最初的版本有初步。
目前修改
1.删除15ns的速度斌。
2.切换电流Icc工业模式。
项
10ns
I
CC （工业）
12ns
数据稿
六月。 8. 2001
九月。 9. 2001年
十二月。 18. 2001
前
85mA
75mA
当前
75mA
65mA
六月。 19. 2002年
最终科幻
备注
初步
初步
初步
1.0版
1.最终数据发布。
2.删除UB ， LB releated的交流特性和时序图。
1.删除速度为12ns仓。
1.添加无铅封装类型。
修订版2.0
修订版3.0
七月。 8. 2002年
七月。 26，2004
最终科幻
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
修订版3.0
2004年7月
