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初步
K6R1008C1C -C / C -L ， K6R1008C1C -I / C -P
数据保持特性*
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
符号
V
DR
I
DR
测试条件
CS = V
CC
-0.2V
V
CC
= 3.0V ， CS≥V
CC
-0.2V
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
V
CC
= 2.0V ， CS≥V
CC
-0.2V
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
数据保留的建立时间
恢复时间
t
SDR
t
RDR
看到数据保留
波形（如下图）
分钟。
2.0
-
典型值。
-
-
马克斯。
5.5
0.4
单位
V
mA
CMOS SRAM
-
-
0.3
0
5
-
-
-
-
ns
ms
*以上参数也保证在工业级温度范围。
数据保持特性是L型版本而已。
数据保存波形
CS控
V
CC
4.5V
t
SDR
数据保持方式
t
RDR
V
IH
V
DR
CS = V
CC
- 0.2V
CS
GND
-8-
修订版3.0
2001年9月
