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初步
K6R1008C1C -C / C -L ， K6R1008C1C -I / C -P
特点
快速存取时间10,12,15ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 30毫安（最大）
（ CMOS ） ： 5毫安（最大）
0.5毫安（最大） L-版本。只
操作K6R1008C1C - 10 ： 80毫安（最大）
K6R1008C1C - 12 ： 75毫安（最大）
K6R1008C1C - 15 ： 73毫安（最大）
单5.0V ± 10 ％电源
TTL兼容的输入和输出
I / O与3.3V器件兼容
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
2V最小数据保存： L-版本。只
中心电源/接地引脚配置
标准引脚配置
K6R1008C1C -J ： 32 SOJ -400
K6R1008C1C -T ： 32 TSOP2-400CF
CMOS SRAM
128K ×8位高速CMOS静态RAM （ 5.0V操作）
概述
该K6R1008C1C是1,048,576位高速静态随机
DOM存取存储器由8位， 131,072字。
该K6R1008C1C使用8共同的输入和输出线和
已输出使能引脚，经营地址比快
在读周期访问时间。该器件采用制造SAM-
SUNG先进的CMOS工艺和设计的高
高速电路技术。它特别适于在使用
高密度
快速
系统
应用程序。
该
K6R1008C1C封装在400mil 32脚塑料SOJ或
TSOP2前进。
订购信息
K6R1008C1C-C10/C12/C15
K6R1008C1C-I10/I12/I15
商业温度。
工业级温度范围。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
32 A
16
31 A
15
30 A
14
29 A
13
28 OE
27 I / O
8
26 I / O
7
功能框图
A
1
A
2
A
3
CLK GEN 。
A
0
A
1
预充电电路
CS
I / O
1
I / O
2
VCC
行选择
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
SOJ /
TSOP2
25 Vss的
24 VCC
23 I / O
6
22 I / O
5
21 A
12
20 A
11
19 A
10
18
17
A
9
A
8
VSS
存储阵列
512行
256x8列
I / O
3
10
I / O
4
11
WE 12
A
4
A
5
13
14
15
16
I / O
1
-I / O
8
数据
续。
CLK
将军
I / O电路
列选择
A
6
A
7
引脚功能
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
引脚名称
A
0
- A
16
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
无连接
CS
WE
OE
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
8
V
CC
V
SS
N.C
-2-
修订版3.0
2001年9月
