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K6T4016V3C ， K6T4016U3C家庭
文档标题
256Kx16位低功耗和低电压CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
最初的草案
修改
- 速度斌变化
商业： 70 / 85ns至85分之70 / 100纳秒
工业： 85 / 100ns到85分之70 / 100纳秒
- 直流特性变化
I
CC
： 5毫安在读/写至4mA在读
I
CC1
： 5mA至6毫安
I
CC2
： 50mA至45毫安
I
SB
： 0.5毫安到0.3毫安
I
SB1
： 10μA至15μA的商业部分
勘误校正
敲定
修改
- 添加K6T4016V3C - TB55产品
修改
- 改进的V
OH
（输出高电压） 2.2V至2.4V 。
草案日期
1998年1月13日
1998年6月12日
备注
ADVANCE
初步
0.11
1.0
2.0
1998年8月13日
1998年11月16日
2001年6月26日
最终科幻
最终科幻
2.01
2001年10月15日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版2.01
2001年10月
