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K6T4008C1C家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5
3)
典型值
5.0
0
-
-
CMOS SRAM
最大
5.5
0
Vcc+0.5
2)
0.8
单位
V
V
V
V
注意：
1.商业产品：T已
A
= 0 70℃ ，特别说明
工业产品：T已
A
= -40 85 ℃，特别说明
2.过冲： V
CC
+ 3.0V的情况下脉冲宽度的
≤
30ns
3.冲： -3.0V的情况下脉冲宽度的
≤
30ns
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
平均工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
V
OL
V
OH
I
SB
V
IN
= VSS到Vcc
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
= VSS到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS = V
IL
, V
IN
=V
IL
或V
IH
读
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
=0mA
CS≤0.2V ，V
IN
≥0.2V
或V
IN
≥Vcc-0.2V
循环时间=分钟，100％占空比，我
IO
= 0毫安， CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
IL
测试条件
民
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
K6T4008C1C-L
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
10
8
55
0.4
-
3
80
20
100
30
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
mA
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS = V
IH
，其它输入= V
IL
或V
IH
待机电流（ CMOS ）
I
SB1
CS≥Vcc - 0.2V ，其他输入= 0 Vcc的
K6T4008C1C-B
K6T4008C1C-P
K6T4008C1C-F
A
4
修订版1.0
1999年4月
