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K6T4008C1B家庭
写周期时序波形（ 1 ）
（我们控制）
t
WC
地址
t
CW(2)
CS
t
AW
t
WP(1)
WE
t
AS(3)
DATA IN
t
WHZ
数据输出
数据中，未定义
t
DW
数据有效
t
OW
t
DH
t
WR(4)
CMOS SRAM
写周期时序波形（ 2 ）
（ CS
控制）
t
WC
地址
t
AS(3)
CS
t
AW
t
WP(1)
WE
t
DW
DATA IN
数据有效
t
DH
t
CW(2)
t
WR(4)
数据输出
笔记
（写周期）
高-Z
高-Z
低CS和低WE重叠期间发生1.写。一开始写在CS中的最新过渡会低和WE
变低：写在结尾中CS变为高电平最早的过渡，我们要高，T
WP
从写开始时测得的
到写的末尾。
2. t
CW
是从CS测量要低到写的末尾。
3. t
AS
从地址有效到写的开始测量的。
4. t
WR
从写入地址变更的端部测量的。吨
WR
在适用的情况下写一个结尾为CS或者我们要高。
数据保存波形
CS控
V
CC
4.5V
t
SDR
数据保持方式
t
RDR
2.2V
V
DR
CS = V
CC
- 0.2V
CS
GND
7
修订版3.0
1998年9月
