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K6T4008C1B家庭
文档标题
512Kx8位低功耗CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
最初的草案
修改
- 改变工作由光罩改版电流
I
CC
在写： 35毫安
→
45mA
I
CC1
在读/写： 15 / 35毫安
→
10/45mA
敲定
- 改变工作电流
I
CC1
在写： 45毫安
→
40mA
I
CC
2 ; 90毫安
→
80mA
- 改变试验载荷在55ns ： 100pF的
→
50pF
修改
- 更改数据表格式
修改
- 工业生产速度斌变化： 70 / 100纳秒
→
55/70ns
草案日期
1996年12月7日
1997年3月6日
备注
ADVANCE
初步
1.0
1997年10月9日
最终科幻
2.0
1998年2月17日
最终科幻
3.0
1998年9月8日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版3.0
1998年9月
