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K9F2808U0C
有效的块
参数
有效的块数
符号
N
VB
民
1004
典型值。
-
FL灰内存
最大
1024
单位
块
记
:
1。
设备
可能包括无效块时，先发货。附加的无效块可以发展而被使用。有效块的数目是预先
sented与视为无效块的两种情况。无效块被定义为包含一个或多个损坏位元区块
.
不要擦除或编程
工厂标记为坏块。参考附件技术说明中的无效块的适当的管理。
2.第一框，它被放置在00h开始块地址，保证是一个有效的块，不需要纠错多达1K编程/擦除
周期。
3.最低502块有效，保证每个连续的64兆的内存空间。
AC测试条件
（ K9F2808U0C - XCB0 ： TA = 0 70 ° C， K9F2808U0C - XIB0 ： TA = -40 85°C
K9F2808U0C ： VCC = 2.7V 3.6V ，除非另有说明）
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载（VCC
Q
:3.0V +/-10%)
输出负载（VCC
Q
:3.3V +/-10%)
K9F2808U0C
0.4V至2.4V
5ns
1.5V
1 TTL门和CL = 50pF的
1 TTL门和CL = 100pF电容
电容
(
T
A
= 25 ° C，V
CC
= 3.3V ， F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
IL
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
10
10
单位
pF
pF
记
：电容周期性采样，而不是100 ％测试。
模式选择
CLE
H
L
H
L
L
L
L
X
X
X
X
X
ALE
L
H
L
H
L
L
L
X
X
X
X
(1)
X
CE
L
L
L
L
L
L
L
X
X
X
X
H
H
H
X
X
X
X
X
H
H
X
X
X
X
WE
RE
H
H
H
H
H
GND
X
X
X
X
L
L
WP
X
X
H
H
H
X
X
X
H
H
L
读取模式
写模式
数据输入
数据输出
在读（忙）
在读（忙）
在项目（忙）
在擦除（忙）
写保护
模式
命令输入
地址输入（ 3clock ）
命令输入
地址输入（ 3clock ）
L
L
L
X
X
0V
0V/V
CC
(2)
待用
记
1. X可以是V
IL
或V
IH 。
2. WP应该偏向于CMOS的高或低的CMOS备用。
编程/擦除特性
参数
节目时间
局部程序周期数量
在同一个页面
块擦除时间
25
°
C .
符号
t
PROG
主阵列
备用阵列
NOP
t
别尔斯
民
-
-
-
-
典型值
200
-
-
2
最大
500
2
3
3
单位
s
周期
周期
ms
记
：典型编程时间被定义为在其内的整个页面的50％以上，在Vcc被编程3.3V和温度的时间
10
