K9F2808U0C

FL灰内存

文档标题

16M ×8位NAND闪存

修订历史

修订历史号

0.0

1.0

首次发行。

TBGA PKG尺寸变化

48球， 6.0毫米X 8.5毫米--> 63球， 9.0毫米X 11.0毫米

对TBGA封装1.A3引脚分配发生变化。 （第4页）

（前） NC --> （后） Vss的

2.添加卢比VS TR ， TF &卢比VS ibusy图的1.8V器件（第32页）

3.添加数据保护的Vcc guidence为1.8V器件 - 低于约

1.1V 。 （第33页）

最小。 VCC值1.8V器件被改变。

K9F28XXQ0C ： Vcc的1.65V 1.95V --> 1.70V 1.95V

2.2

无铅封装添加。

K9F2808U0C-FCB0,FIB0

K9F2808Q0C-HCB0,HIB0

K9F2816U0C-HCB0,HIB0

K9F2816U0C-PCB0,PIB0

K9F2816Q0C-HCB0,HIB0

K9F2808U0C-HCB0,HIB0

K9F2808U0C-PCB0,PIB0

2.3

一些AC参数改变（ K9F28XXQ0C ） 。

TWC亿千瓦时TWP的tRC tREH的激进党TREA TCEA

前

后

2.4

45

60

15

20

25

40

50

60

15

20

25

40

30

40

45

55

草案日期

2002年4月15日

2002年9月5日

备注

ADVANCE

ADVANCE

2.0

2002年Dec.10th

初步

2.1

2003年3月6日

三月第13 2003

2003年3月26日

无效的块的数目为1的新定义加入。

（最低502块有效，保证每个连续的64兆

存储器空间）

2.

注意添加。

（ VIL可以下冲至-0.4V和VIH可以过冲至VCC + 0.4V的

20 ns以下的持续时间。 ）

五月。第24届2003

2.5

2.6

1. K9F2808U （Q）的0℃ - 直流（I）的B 0 ， K9F2816U （Q）的0℃ - 直流（I）中的B0被删除。

2. TWC被改变。

为45nS （前） --- >为50ns （后）

3.最小有效的块号被改变。

1004 （前） --> 1009（后）

1.最小有效的块号被改变。

1009（前） --> 1004 （后）

二零零三年十月十日

注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。

http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm

所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利

改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有

有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。

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