半导体
技术参数
UHF超高频调谐。
特点
高电容比： C2V / C25V = 7.6 （典型值）。
低串联电阻值：R
S
=1.9
有用的小尺寸调谐器。
（典型值）。
优秀简历的特点，跟踪误差小。
KDV287
变容二极管
硅外延平面二极管
阴极标记
B
1
K
G
A
H
F
2
D
E
J
C
I
最大额定值（ TA = 25
特征
反向电压
峰值反向电压
结温
存储温度范围
)
符号
V
R
V
RM
T
j
T
英镑
等级
30
35(R
L
=10k
125
-55 125
)
单位
V
V
M
M
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
MILLIMETERS
_
2.50 + 0.1
_
1.25 + 0.05
_
0.90 + 0.05
0.30+0.06/-0.04
_
1.70 + 0.05
MIN 0.17
_
0.126 + 0.03
0~0.1
1.0 MAX
_
0.15 + 0.05
_
0.4 + 0.05
2 +4/-2
4~6
1.阳极
2.阴极
南加州大学
电气特性（ TA = 25 ）
特征
反向电压
反向电流
电容
电容
电容比
串联电阻
C（最大值） - C （最小值）
C（最小）
(V
R
=2~25V)
符号
V
R
I
R
C
2V
C
25V
C
2V
/C
25V
r
S
V
R
= 5V ， F = 470MHz的
I
R
=1 A
V
R
=28V
V
R
= 2V ， F = 1MHz的
V
R
= 25V ， F = 1MHz的
测试条件
分钟。
30
-
4.2
0.53
7.3
-
典型值。
-
-
-
-
-
1.9
马克斯。
-
10
5.7
0.68
-
2.3
单位
V
nA
pF
pF
-
注：可在匹配的组容量为6 ％ 。
0.06
记号
型号名称
UP
2001. 6. 11
版本号： 1
L
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