位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第3页 > KFG2G16Q2M-DED5 > KFG2G16Q2M-DED5 PDF资料 > KFG2G16Q2M-DED5 PDF资料1第106页
OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
6.0
6.1
时序图
8字线突发模式与环绕周围
参见AC特性表5.4
示出5个周期用于初始接入。
BRL=4
t
CES
t
CLK
t
CLKH
t
CLKL
CE
t
CER
CLK
≈
≈
t
CEZ
t
AVDS
AVD
t
RDYo
t
AVDH
≈
t
ACS
A0-A15
t
ACH
DQ0-DQ15
t
IAA
OE
高阻
t
OE
D6
D7
t
BA
D0
D1
t
BDH
≈ ≈
D0
t
OEZ
D2
D3
D7
≈
≈
t
RDYs
RDY
t
RDYA
高阻
≈
6.2
连续线性突发模式与环绕周围
参见AC特性表5.4
示出5个周期用于初始接入。
BRL=4
t
CES
t
CLK
CE
t
CER
CLK
t
AVDS
t
RDYo
AVD
t
AVDH
t
ACS
A0-A15
t
ACH
DQ0-DQ15
t
IAA
OE
高阻
t
OE
Da
Da+1
t
BA
Da+2
Da+3
Da+4
Da+5
t
BDH
≈
≈
≈
≈ ≈
DA + N
t
CEZ
Da+n+1
t
OEZ
≈
≈
RDY
t
RDYA
t
RDYs
高阻
≈
106
