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OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB6)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB6)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB6)
FL灰内存
1.5
产品特点
90nm
1.8V (1.7V ~ 1.95V)
16位
1KB BootRAM ， 4KB DataRAM
（ 2K + 64 ） B页面大小（ 128K + 4K ） B座大小
设备架构
设计技术：
电源电压：
主机接口：
5KB内部BufferRAM ：
SLC NAND阵列：
设备性能
主机接口类型：
可编程突发读取延迟：
多扇区读/写：
多种复位方式：
多块擦除：
低功耗：
同步突发读
- 高达66MHz的时钟频率
- 线性突发4-， 8-，16- ， 32 -单词回绕
- 连续1K字顺序突发
异步随机读
- 76ns存取时间
异步随机写入
延迟3 （高达40MHz ） ，4， 5，6，和7
使用部门计数寄存器多达4个扇区
冷/暖/热/ NAND闪存内核复位
多达64块
典型的电源，
- 待机电流：
为10uA @单，的20uA @ DDP ， 40uA的@ QDP
- 同步突发读取电流（ 66MHz的） ：
15毫安@单， 20毫安@ DDP / QDP
- 负载电流： 30毫安
- 程序电流： 25毫安
- 擦除电流： 20毫安
- 多块擦除电流： 20毫安
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
系统硬件
电压检测器产生从Vcc内部复位信号
硬件复位输入（ RP ）
数据保护模式
- 写保护BootRAM
- 写保护的NAND闪存阵列
- 在上电期间写保护
- 在掉电写保护
用户控制的一次性可编程（ OTP ）区域
内部2位EDC / ECC 1位
内部的Bootloader引导支持解决方案系统
握手功能
- INT引脚指示就绪/忙
- 轮询中断状态寄存器位
详细芯片信息
- 通过ID寄存器
包装
1G产品
2G DDP产品
4G QDP产品
63ball ， 10毫米x10 13毫米X最大1.0mmt ，球间距为0.8mm FBGA
63ball的11mm X 13毫米X最大1.2mmt ，球间距为0.8mm FBGA
63ball的11mm X 13毫米X最大1.4mmt ，球间距为0.8mm FBGA
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