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OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
1.1
OneNAND闪存
修订历史
文档标题
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
首次发行。
1.更正勘误表
2.修改缓存中读取流程图
3.修订待机电流
4.修改后备用区的描述
5.添加CE不在乎状态Asynch写，加载，程序和块
擦除时序图
1.更正勘误表
2.增加拷贝回程序运行用随机数据输入
3.主动挂起擦除电流
4.更改TBA从11ns的到11.5ns
草案日期
2004年10月26日
2004年12月7日
备注
初步
初步
0.2
2004年12月24日
初步
0.3
1.更正勘误表
2005年1月10日
2.修改ISB典型值从50uA的降至10uA
3.修订ISB从为100uA至50uA的最大值
4.修改后擦除电流TBD
5.修订TCE ， TAA和TACC的最大值从70ns的为76ns
6.修订的VCC- IO描述
7.修订备用区的描述
在控制器状态寄存器8.增加了额外的信息
9.增加了相关的命令来中断状态寄存器的位
在3.4.3章10.修写保护状态
11.修改后复制回程序操作说明
12.添加了额外的信息，多块擦除操作
13.禁用FBA限制在OTP操作
14.修正缓存中读取流程图
对DDP 15.新增ISB信息
16.修正复位参数说明
在热复位时序图17.添加RDY信息
18.增加了数据保护时间在掉电信息
19.修正中断引脚上升和下降的斜率曲线图
20.加限制的双重操作地址寄存器设置
21.加限制的高速缓存读操作地址寄存器设置
1.更正勘误表
2.更新DC参数的RMS值
3.增加QDP功能
产品编号4.增加速度信息
5.修订tOEZ描述
6.修订OTP寄存器的设置限制
7.新增流感样病例，劳工组织和QDP ISB信息
8.新增引导顺序Infrormation的技术说明
9.目标类添加信息
1.修改OTP负荷运行流程图
2005年2月25日
初步
0.4
初步
0.4.1
2005年3月2日
初步
3
