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ADuC845/ADuC847/ADuC848
参数
PWM
-Fxtal
ΔfVCO
TIC
3 V功耗
普通模式
11, 12
DV
DD
当前
AV
DD
当前
掉电模式
11, 12
DV
DD
当前
民
典型值
3
0.5
1
最大
单位
A
mA
A
2.7 V < DV
DD
< 3.6 V ， AV
DD
= 3.6 V
4.8
11
180
26
20
1
3
mA
mA
A
A
A
A
A
A
A
核心频率= 1.57 MHz的
核心频率= 6.29兆赫（ CD = 1 ）
未启用ADC
T
最大
= 85°C ; OSC上;香港旅游业议会上
T
最大
= 125°C ; OSC ON; TIC开
T
最大
= 85°C ; OSC关闭
T
最大
= 125°C ; OSC关闭
T
最大
= 85°C ;振荡器ON或OFF
T
最大
= 125°C ;振荡器ON或OFF
条件
9
20
29
14
21
AV
DD
当前
1
温度范围是ADuC845BS ;为ADuC847BS和ADuC848BS （ MQFP封装） ，范围为-40 ° C至+ 125°C 。
温度范围ADuC845BCP ， ADuC847BCP和ADuC848BCP （ CSP封装）为-40 ° C至+ 85°C 。
2
这些数字是不是生产测试，但对产能释放的设计和/或特性数据保证。
3
系统零电平校准可以消除这种误差。
4
增益误差漂移是一个跨度漂移。为了计算满刻度误差漂移，失调误差漂移添加到增益误差漂移倍的满量程输入。
5
一般来说，双极性输入电压范围，以主ADC由ADC范围定为± （Ⅴ
REF
2
RN
） /1.25 ，其中：
V
REF
= REFIN （ + ）与REFIN （ - ）电压和V
REF
= 1.25 V时，内部ADC V
REF
被选中。 RN = RN2 ， RN1 ， RN0的十进制等效值。例如，若V
REF
= 2.5 V和RN2 ，
RN1 ， RN0 = 1， 1，0，分别接在ADC范围= ± 1.28 V.在单极模式下，有效范围是0 V至1.28 V在本实施例中。
6
1.25 V被用作参考电压到ADC时内部V
REF
通过XREF0 / XREF1或AXREF位中选择在ADC0CON2和ADC1CON分别。
（ AXREF仅在ADuC845 。 ）
7
在双极模式下，辅助ADC可以被驱动只在最低限度的AGND - 30 mV的由辅助ADC绝对AIN电压限制所指示的。双极性范围
还是-V
REF
到+ V
REF
.
8
DAC的线性度与AC规范使用的是48码降低至4095计算， 0 V至V
REF
，减少的100码的范围到3950 ，0V至VDD。
9
耐力有资格根据JEDEC标准100 kcycle 。 22方法A117和在-40℃下测得的， + 25 ℃， + 85 ℃， + 125 ℃。典型的耐力在25 ° C为700 kcycles 。
10
保持期限相当于在结温（T
J
） =每JEDEC标准55 ℃。 22 ，方法A117 。基于0.6 eV的减额的激活能保持期限
随着结温。
11
电源电流消耗测量在正常模式下的加电序列，并在以下条件下关断模式：
普通模式：复位= 0.4 V，数字I / O引脚=开路，核心的Clk通过CD位PLLCON改变，核心内部执行软件循环。
掉电模式：复位= 0.4 V，所有的P0引脚P1.2和P1.7来销= 0.4 V.所有其它数字I / O引脚开路，核心的Clk通过CD位PLLCON改变， PCON.1 = 1 ，
核心执行悬浮在掉电模式下， OSC通过OSC_PD位（ PLLCON.7 ）在PLLCON SFR开启或关闭。
12
DV
DD
电源电流增加通常由3毫安（ 3 V操作）和10均线（ 5 V操作）期间， Flash / EE存储器编程或擦除周期。
有关规格一般注意事项
DAC的增益误差是DAC的量程误差的量度。
该ADuC845BCP ， ADuC847BCP和ADuC848BCP （ CSP封装）已经合格并与CSP的碱测试
打包浮动。该CSP封装的基础上，应焊接到电路板上，而是悬空电，以确保良好的
机械稳定性。
Flash / EE存储器可靠性特性同时适用于闪速/电擦除程序存储器和Flash / EE数据存储器。
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