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ADuC845/ADuC847/ADuC848
助记符
SJMP REL
JC REL
JNC REL
JZ REL
JNZ REL
DJNZ Rn，则相对
LJMP
LCALL
3
addr16
JB位，相对
JNB位，相对
JBC位，相对
CJNE A， DIR ， REL
CJNE A， ＃的数据，相对
CJNE Rn，则＃的数据，相对
CJNE @日， ＃数据，相对
DJNZ目录， REL
杂项
NOP
描述
短跳转（相对地址）
跳转进位= 1
跳转进位= 0
跳转累加器= 0
跳转累加器！ = 0
递减寄存器， JNZ相对
跳远无条件
跳远子程序
跳转直接位= 1
跳转直接位= 0
跳转直接位= 1 ，明确
比较A ，直接JNE相对
比较A ，立即JNE相对
比较寄存器， JNE相对直接的
比较间接的，直接的相对JNE
递减直接字节， JNZ相对
无操作
字节
2
2
2
2
2
2
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
1
周期
1
3
3
3
3
3
3
4
4
4
4
4
4
4
4
4
4
1
1
2
一个周期是一个时钟。
MOVX指令有四个周期，当他们有0等待状态。的MOVX指令周期是4 +
n
周期时，他们有
n
等待状态通过EWAIT作为编程。
3
LCALL指令是三个周期时长调指令来自一个中断。
存储器组织
在ADuC845 ， ADuC847和ADuC848包含四个内存
块：
62千字节/ 32字节的片内Flash / EE程序/ 8字节
内存
4千字节的片内Flash / EE数据存储器
256字节的通用RAM
2 KB的内部的XRAM
闪速/电擦除数据存储器
用户具有4 KB的Flash / EE数据存储器的可用的
可通过使用一组寄存器的映射的间接访问
进入特殊功能寄存器（ SFR）空间。有关详细信息，请参阅
非易失性Flash / EE存储器部分。
通用RAM
通用RAM被分为两个独立的
存储器中，上部和下部128字节RAM 。该
低128字节的RAM可以通过直接访问或
间接寻址。高128字节的RAM可
只能通过间接寻址监守这股访问
相同的地址空间的SFR空间，它必须访问
通过直接寻址。
低128字节的内部数据存储器映射为
在图8中所示的最低的32个字节被划分成四个
8个寄存器银行地址为R0到R7 。接下来的16个字节
（ 128位） ，位置的20H 2FH上面的寄存器组，形式
直接寻址位的位置，在比特的地址块
00H到7FH 。栈可以在内部被定位在任何地方
存储器地址空间，且堆栈深度可以扩展
到2048字节。
复位初始化堆栈指针的位置07H 。任何电话或
加载堆栈前推预增量SP 。因此，
加载堆栈地址08H ，这也是开始
第一次注册注册银行（ R0 ） 1。因此，如果一个人使用
多个寄存器组，堆栈指针应
初始化为RAM的未用于数据存储的区域。
闪速/电擦除程序存储器
这些器件提供高达62 KB的闪存/ EE程序存储器
运行用户代码。后续的所有引用到Flash / EE程序
内存假设62 KB的选项。
当EA是在一个电源周期或拉高外部
硬件复位，部分默认为从代码执行的
内置62千字节的闪速/电擦除程序存储器。部分做
不支持从内部代码空间与外部侧翻
代码空间。没有外部的代码可用空间的部分。
永久性嵌入式固件允许代码进行串行
下载到通过的62 KB的内部代码空间
UART串行端口，而该设备在电路内。无需外部
硬件是必须的。
在运行时， 56字节的62 KB的程序存储器
可重新编程。这意味着代码空间可以
通过使用用户定义的协议运行在现场升级
上的零件，或者它可被用作一个数据存储器。有关详细信息，请参阅
非易失性Flash / EE存储器部分。
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