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ADuC841/ADuC842/ADuC843
1
2
温度范围：-40 ° C至+ 85°C 。
在正常的微转换器内核运行ADC线性度得到了保证。
3
ADC的LSB大小= V
REF
/2
12
即，内部V
REF
= 2.5 V ， 1 LSB = 610 μV和外部V
REF
= 1 V ， 1 LSB = 244 μV 。
4
这些数字是不是生产测试，但设计和/或特性数据上产能释放的支持。
5
偏移和增益误差和偏移和增益出厂校准后的测量误差匹配。
6
基于外部ADC系统部件中，用户可能需要执行系统的校准，以除去附加的外部通道错误来实现这些
特定连接的阳离子。
7
SNR计算包含失真和噪声分量。
8
通道与通道之间的串扰的测量相邻信道。
9
温度监视器给出直接管芯温度的量度空气的温度可从该结果中推断出来。
10
DAC的线性度的计算公式：
100码减少至4095 ， 0 V至V
REF
范围内。
100码减少至3945 ， 0 V至V
DD
范围内。
DAC输出负载= 10 kΩ和100 pF的。
11
DAC差分非线性指定的0 V至V
REF
和0 V至V
DD
范围。
12
DAC在无缓冲的情况下规范的输出阻抗取决于DAC的代码。
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DAC规格为我
SINK
，电压输出稳定时间和数字 - 模拟突波能量依赖于非缓冲模式下使用外部缓冲实现。在DAC
缓冲模式与OP270外部缓冲器，其具有低的输入漏电流测试。
14
测量用C
REF
引脚去耦用0.47 μF的电容到地。电时间为内部基准由去耦电容器的值确定
选择为C
REF
引脚。
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当使用外部基准装置，所述内部带隙基准电压输入可以通过设置ADCCON1.6位被绕过。
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Flash / EE存储器可靠性的特点，适用于对Flash / EE程序存储器和Flash / EE数据存储器。
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耐力是合格100,000次按照JEDEC标准。 22方法A117和在-40℃下测得的， + 25 ℃， + 85 ℃。典型的耐力在25 ° C为70万次。
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保持期限相当于在结温（T
J
） = 55 ℃，按照JEDEC标准。 22方法A117 。基于0.6 eV的减额的激活能保持期限
随着结温，如图38中的Flash / EE存储器可靠性节。
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电源电流消耗是衡量正常，空闲和掉电模式在以下情况下：
普通模式：
复位= 0.4 V，数字I / O引脚=开路，核心的Clk通过CD位PLLCON （ ADuC842 / ADuC843 ）改变，核心内部执行
软件循环。
空闲模式：
复位= 0.4 V，数字I / O引脚=开路，核心的Clk通过CD位PLLCON改变（ ADuC842 / ADuC843 ） ， PCON.0 = 1 ，核心执行
悬浮在空闲模式。
掉电模式：复位= 0.4 V，所有端口0 = 0.4 V，其他所有的数字I / O和端口1引脚开路，核心的Clk通过在PLLCON CD位改变
（ ADuC842 / ADuC843 ） ， PCON.0 = 1 ，核心执行悬浮在掉电模式下， OSC通过OSC_PD位（ PLLCON.7 ）的开启或关闭
PLLCON SFR （ ADuC842 / ADuC843 ） 。
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DV
DD
电源电流增加通常由3毫安（ 3 V操作）和10均线（ 5 V操作）期间， Flash / EE存储器编程或擦除周期。
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电源电流产量5.25 V和3.3 V ，分别测试5 V和3 V的一部分。
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