ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435/ADR439
ADR439电气特性
V
IN
= 6.5 V至18 V，I
负载
= 0毫伏，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
表7中。
参数
输出电压
B级
A级
初始精度
B级
B级
A级
A级
温度COEF网络cient
SOIC - 8 （ B级）
SOIC - 8 （ A级）
MSOP-8
线路调整
负载调整率
符号
V
O
V
O
V
OERR
V
OERR
V
OERR
V
OERR
TCV
O
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; + 125°C
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; + 125°C
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; + 125°C
V
IN
= 6.5 V至18 V
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; + 125°C
I
负载
= 0 mA至10毫安，V
IN
= 6.5 V
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; + 125°C
I
负载
= -10 mA至0毫安，V
IN
= 6.5 V
-40°C <牛逼
A
＆ LT ; + 125°C
无负载， -40°C <牛逼
A
＆ LT ; + 125°C
0.1赫兹至10.0赫兹
1千赫
C
IN
= 0
1,000 h
f
IN
= 10千赫
6.5
2
1
2
2
5
条件
民
4.498
4.4946
典型值
4.500
4.500
最大
4.502
4.5054
2
0.04
5.4
0.12
3
10
10
20
15
15
800
单位
V
V
mV
%
mV
%
PPM /°C的
PPM /°C的
PPM /°C的
PPM / V
PPM / MA
PPM / MA
A
μV P-P
纳伏/赫兹÷
s
PPM
PPM
dB
mA
V
V
V
O
/V
IN
V
O
/I
负载
静态电流
电压噪声
电压噪声密度
开启建立时间
长期稳定性
1
输出电压迟滞
纹波抑制比
短路到GND
电源电压工作范围
电源电压裕量
I
IN
e
N
p-p
e
N
t
R
V
O
V
O_HYS
RRR
I
SC
V
IN
V
IN
V
O
600
7.5
110
10
40
20
70
40
18
1
长期稳定规范非累积。在随后的千小时周期中的漂移比在第一千小时期间显著降低。
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