ADR290/ADR291/ADR292
工作原理
器件的功耗注意事项
该ADR29x系列基准的采用了新的参考一代
技术称为XFET （额外注入结FET） 。这
技术导致了低噪音，低电源电流参考
和非常低的热迟滞。
在XFET基准的核心由两路口现场
效应晶体管，其中之一有一个额外的沟道注入到
提高其夹断电压。通过运行两个JFET的处
相同的漏电流，在夹断电压的差值可以是
放大并用于形成高度稳定的参考电压。
的固有参考电压约为0.5伏以负
约-120 ppm的/ K的温度系数。这是坡
基本上锁定到硅的介电常数，并且可以是
通过添加在生成的校正项密切补偿
以同样的方式作为比例对温度（ PTAT）的
长期用于补偿带隙基准源。最大的优势
在带隙基准是内在的温度coeffi-
下cient是一些30倍（因此不太修正
需要的话） ，这导致低得多的噪声，因为大多数的
的带隙基准的噪音来自于温度的COM
补偿电路。
下面的简化示意图显示的基本拓扑结构
ADR29x系列。温度修正项由设置
一个电流源的值设计成成比例abso-
琵琶温度。一般的公式是：
R
1
+
R
2
+
R
3
V
OUT
=
V
P
+
I
PTAT
R
3
R
1
该ADR29x系列基准是保证递送负载
电流5mA电流与输入电压为2.7 V范围
至15 V（最小电源电压取决于输出电压
选项）。当这些设备与大型应用程序中使用
输入电压，应谨慎，以避免超过
已出版的规格最大功耗或junc-
化温度，可能导致过早的设备故障。
下面的公式应该被用于计算设备的马克西
妈妈结温度或功耗：
P
D
=
T
J
–
T
A
θ
J
A
在这个等式中，
T
J
和
T
A
是结点和环境温
peratures ，分别
P
D
是设备的功耗，并
θ
JA
是器件封装热阻。
基本的参考电压连接
参考文献，在一般情况下，需要一个旁路电容器，连接
从V
OUT
引脚与GND引脚。该电路在图2中
示出了用于该ADR29x家族的REF-的基本配置
erences 。注意，去耦电容不需要用于
电路的稳定性。
NC 1
2
8 NC
ADR29x
7 NC
6
产量
0.1 F
(
)( )
+
10 F
NC 3
0.1 F
4
5 NC
哪里
V
P
是在这两者之间夹断电压的差
FET和
I
PTAT
是正温度系数校正
化电流。各种版本的ADR29x家族是
通过片上调整R1和R3的创建实现2.048伏，
2.500 V或4.096 V的基准电压输出。
用于XFET参考流程还采用了垂直
NPN和PNP晶体管，其中后者被用作输出
设备提供了非常低的压差电压。
V
IN
I
1
I
1
NC =无连接
图2.基本的参考电压配置
噪声性能
由ADR29x系列基准所产生的噪声是典型
美云小于12
V
峰 - 峰值在0.1赫兹到10赫兹频带。 TPC
图21示出这是唯一的ADR290的0.1赫兹到10赫兹的噪声
6
V
峰 - 峰值。噪声测量是用一个带通滤波器
在0.1赫兹制成的2极的高通滤波器的拐角频率的
和2极的低通滤波器，角频率为10赫兹。
开启时间
*
V
P
R1
V
OUT
I
PTAT
R2
R3
GND
当施加功率（冷启动）的，所需要的时间
输出电压到指定的误差带内达到最终值
被定义为导通的稳定时间。两种成分去甲
与此相关联马利是时间的有源电路，以
沉降，时间为热梯度在芯片上，以台站
bilize 。 TPC 28示出了导通稳定时间为ADR291 。
*
EXTRA沟道注入
R1 + R2 + R3
V
OUT
=
V
P
+ I
PTAT
R1
R3
图1. ADR290 / ADR291 / ADR292原理示意图
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版本B
