ADR01/ADR02/ADR03/ADR06
应用
该ADR01 / ADR02 / ADR03 / ADR06是高精度，低
在可用的漂移10 V ， 5 V ， 2.5 V和3.0 V基准电压源
超紧凑的足迹。的SOIC-8版本的装置为
插入式替换REF01 / REF02 / REF03插座与
改进的成本和性能。
这些设备是标准的带隙基准电压。带隙
细胞含有两个NPN晶体管（ Q18和Q19 ）是不同的
发射器面积2倍。在他们的V的区别
BE
产生
比例 - 绝对在R14的温度电流（ PTAT ） ，
并且，当与V结合
BE
Q19的，产生的带隙
电压，V
BG ，
即在温度几乎不变。有
内部的运算放大器和R 5和R 6 ，V的反馈网络
O
设置
正是在10 V ， 5 V ， 2.5 V和3.0 V的ADR01 ， ADR02 ，
ADR06和ADR03分别。精密激光微调
电阻器和其他专有电路技术被用来
进一步提高初始精度，温度的曲率，并
漂移ADR01 / ADR02 / ADR03 / ADR06的性能。
V
IN
R1
Q1
R2
Q2
Q3
R3
Q23
Q7
Q8
Q9
D1
D2
Q4
V
O
D3
R12
R13
Q12
Q13
I1
C1
R5
Q10
R4
到该装置的输入和输出引脚。一个可选的1 μF至
10 μF旁路电容也可以在V应用
IN
节点
维持下的瞬态干扰的输入。
U1
ADR01/
ADR02/
ADR03/
ADR06
V
IN
C1
0.1F
V
IN
V
OUT
V
O
02747-F-035
温度微调
GND
C2
0.1F
图35.基本配置
输出调整
该ADR01 / ADR02 / ADR03 / ADR06装饰终端可以使用
以调整输出电压在额定电压。此功能
允许系统设计人员通过设置裁剪系统错误
参考其他的电压高于10 V / 5 V / 2.5 V / 3.0 V.对于细
调整后， 470 kΩ的串联电阻可以增加。与
在图36所示的结构中，电压源ADR01可以调节
从9.70 V至10.05 V时， ADR02可以从4.95 V调整
至5.02 V时， ADR06可以从2.8 V调整至3.3 V ，而
的ADR03可以从2.3 V调节到2.8V。调整
输出不显著影响温度per-
该装置的formance ，提供的温度系数
的电阻相对较低。
U1
V
IN
Q14 Q15
2X
Q18
R27
温度
R14
R32
R24
R17
R11
R41
R42
GND
1X
Q19
Q16
Q20
Q17
R6
02747-F-034
ADR01/
ADR02/
ADR03/
ADR06
V
IN
V
OUT
R1
470k
V
O
锅
10k
温度微调
GND
V
BG
R20
TRIM
图36.可选修剪调整
温度监控
如前面所描述的， ADR01 / ADR02 / ADR03 / ADR06
提供一个TEMP输出（引脚3）线性变化与温
perature 。这个输出可以被用来监测温度
改变系统。在VTEMP上的电压大约
550毫伏，在25℃ ，且温度系数约为
1.96毫伏/ ℃（参看图37）。 39.2毫伏的电压变化
TEMP引脚对应于温度20 ℃的变化。
图34.简化示意图
该PTAT电压是由提供的TEMP引脚
ADR01 / ADR02 / ADR03 / ADR06 。它有一个稳定的1.96毫伏/°C的
温度系数，以使得用户可以适当地估计
该装置通过知道电压的温度变化
改变在TEMP引脚。
应用ADR01 / ADR02 / ADR03 / ADR06
该设备可以在没有任何外部元件中使用
达到规定的性能。由于内部运算的
放大器放大的带隙的细胞至10 V / 5 V / 2.5 V / 3.0 V，
电源去耦帮助的瞬态响应
ADR01 / ADR02 / ADR03 / ADR06 。其结果是，一个0.1 μF的陶瓷
输入去耦电容应采用尽可能接近
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02747-F-036
R2
1k
