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KM416C1004C ， KM416C1204C
KM416V1004C ， KM416V1204C
CMOS DRAM
1米x 16Bit的CMOS动态随机存储器与扩充数据输出
描述
这是一个家庭的1,048,576 ×16位扩展数据输出CMOS DRAM的。扩展数据输出模式提供了高速随机存取
同一行内的存储单元，即所谓的超级页面模式。电源电压（ + 5.0V或+ 3.3V ） ，刷新周期（ 1K参考或4K
参考） ，访问时间（-45 ，-5或-6） ，功耗（普通或低功率）以及包类型（ SOJ或TSOP- II）中的任选的特征
这个家庭。所有这些家庭都有CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新和隐藏刷新功能。此外，自刷新
操作是在L型版本。这1Mx16 EDO DRAM模式系列采用了三星先进的CMOS工艺制造
实现高带宽，低功耗和高可靠性。它也可以用作用于微型计算机图形存储器单元，个人
计算机和便携式计算机。
特点
部分鉴定
- KM416C1004C / C -L （ 5V ， 4K REF）
- KM416C1204C / C -L （ 5V ， 1K参考）
- KM416V1004C / C -L （ 3.3V ， 4K REF）
- KM416V1204C / C -L （ 3.3V ， 1K参考）
有源功率耗散
速度
4K
-45
-5
-6
-
324
288
3.3V
1K
-
504
468
4K
550
495
440
单位：毫瓦
5V
1K
825
770
715
扩展数据输出模式操作
（带扩展数据输出快速页面模式）
2 CAS字节/字的读/写操作
CAS先于RAS的刷新功能
RAS-只和隐藏刷新功能
自刷新功能（L -版本只）
TTL （ 5V ） / LVTTL （ 3.3V ）兼容的输入和输出
早期写或输出使能控制的写
?? JEDEC标准引脚
提供塑料SOJ 400mil和TSOP （ II ）包
单+ 5V ± 10 ％电源（ 5V产品）
单+ 3.3V ± 0.3V电源（ 3.3V产品）
刷新周期
部分
号
C1004C
V1004C
C1204C
V1204C
V
CC
5V
3.3V
5V
3.3V
1K
16ms
刷新
周期
4K
刷新周期
正常
64ms
128ms
L-版本
RAS
UCAS
LCAS
W
功能框图
控制
钟
VCC
VSS
低
DATA IN
卜FF器
读出放大器& I / O
低
数据输出
卜FF器
上
DATA IN
卜FF器
上
数据输出
卜FF器
VBB发生器
刷新计时器
刷新控制
行解码器
DQ0
to
DQ7
性能范围
速度
-45
-5
-6
刷新计数器
存储阵列
1,048,576 x16
细胞
OE
DQ8
to
DQ15
t
RAC
45ns
50ns
60ns
t
CAC
13ns
15ns
17ns
t
RC
69ns
84ns
104ns
t
HPC
16ns
20ns
25ns
备注
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
A0-A11
(A0 - A9)
*1
A0 - A7
(A0 - A9)
*1
行地址缓冲器
上校地址缓冲器
列解码器
注）
*1
： 1K刷新
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