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KM416C1004C ， KM416C1204C
KM416V1004C ， KM416V1204C
11. t
ASC
, t
CAH
参照的是较早CAS下降沿。
CMOS DRAM
12. t
CP
被从后面CAS上升沿指明在先前周期到下一个周期的早期CAS下降沿。
13. t
CWD
被引用到后来的CAS下降沿字读 - 修改 - 写周期。
14. t
CWL
与W下降沿到较早CAS上升沿指定。
15. t
企业社会责任
是参照之前的RAS过渡低较早CAS下降沿。
16. t
CHR
被引用到了后来CAS上涨后过渡RAS低的优势。
RAS
LCAS
UCAS
t
企业社会责任
t
CHR
17.
t
DS ，
t
DH
独立的低字节DQ （ 0-7 ） ，高字节DQ指定（ 8-15 ）
18. t
ASC
≥6ns,
假设吨
T
=2.0ns.
19.如果RAS变为高之前， CAS号高去时，输出的开路条件由CAS高去实现。
如果CAS达到高之前的RAS高去时，输出的开路条件由RAS的高去实现。
20.如果
t
RASS
≥100us,
然后RAS预充电时间一定要用
t
RPS
而不是
t
RP
.
21. RAS-只刷新和突发CAS先于RAS的刷新模式时， 4096 （ 4K ） / 1024 （1K）突发刷新的周期必须执行
内64毫秒/ 16毫秒之前和自刷新后，为了满足刷新规范。
22.对于分布式CAS先于RAS与15.6us的时间间隔， CAS先于RAS的刷新，应在15.6us立即执行
之前，为了满足刷新规范自刷新之后。
