BC635 ， BC637 ， BC639 ，
BC639-16
高电流晶体管
NPN硅
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集热器
2
符号
VCEO
BC635
BC637
BC639
集电极 - 基极电压
BC635
BC637
BC639
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
器件总功耗
@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
VEBO
IC
PD
625
5.0
PD
800
12
TJ ， TSTG
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
°C
mW
毫瓦/°C的
VCBO
45
60
80
5.0
1.0
VDC
ADC
1
2
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
价值
45
60
80
VDC
单位
VDC
3
BASE
1
辐射源
TO-92 （TO- 226AA ）
CASE 29
14风格
订购信息
设备
包
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
航运
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
5000单位/箱
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
单位
° C / W
° C / W
热特性
特征
热阻，
结到环境
热阻，
结到外壳
符号
R
θJA
R
θJC
最大
200
83.3
BC635RL1
BC635ZL1
BC637
BC639
BC639RL1
BC639ZL1
BC639–16ZL1
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2000年6月 - 第3版
出版订单号：
BC635/D
