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AD5245
重复的写入功能为用户提供了灵活性以更新
RDAC输出的次数处理后和
指示部件只有一次。在写入周期中，每个数据
字节将更新RDAC输出。例如，后RDAC
已经承认其从地址，指令字节，
这两个字节后RDAC输出将更新。如果另一个字节
被写入到RDAC ，同时它仍然寻址到一个特定
用相同的指令从设备，则该字节将更新
输出选择从设备。如果不同的指令
需要的话，在写入模式具有以新的从站重新开始
地址，指令和数据字节。同样地，反复读
在RDAC的功能也是允许的。
V
DD1
= 3.3V
R
P
R
P
G
SDA1
SCL1
3.3V
S
M1
D
G
S
M2
D
5V
SDA2
SCL2
R
P
R
P
V
DD2 =
5V
E
2
舞会
AD5245
图41.电平转换为运行在不同电位
回读RDAC值
的AD5245允许用户回读RDAC值
读取模式。参考表5和表6的
编程格式。
ESD保护
所有数字输入保护与一系列的输入电阻和
在图42和图43所示的平行的齐纳ESD结构。
这适用于数字输入管脚SDA，SCL和AD0 。
340
逻辑
多个设备一个总线
图40示出了同样的串行总线上的两个AD5245器件。
每个人都有，因为他们的AD0的状态不同的从机地址
引脚是不同的。这使得每个设备中的每个RDAC
从独立的写入或读出。主设备
输出的总线驱动器为开漏输出下拉在一个完全我
2
C
兼容接口。
+5V
V
SS
数字引脚图42. ESD保护
A，B ，W
R
P
R
P
V
SS
图43. ESD电阻端子的保护
SDA
主
SCL
+5V
SDA ，SCL
AD0
SDA ，SCL
AD0
端子电压工作范围
在AD5245 V
DD
和GND电源定义的边界
进行适当的3端数字电位器的条件
操作。供应信号呈现在终端A， B和W的
超过V
DD
或GND由内部前方被夹紧
偏置二极管（参见图44）。
V
DD
AD5245
AD5245
就我一个如图40多个AD5245器件
2
C总线
电平转换双向接口
虽然大多数传统系统可在一个电压，来操作
新部件可在另一被优化。当两个
系统在两个不同的电压下工作相同的信号，适当的
需要电平转换。例如，可以使用一个3.3伏
E
2
PROM接口采用5 V数字电位器。 A级
换档方案是必要的，以使双向
通信，使得数字电位计的设定
可被存储到与从E中检索
2
舞会。图41
示出了实现之一。 M1和M2可以是任何
N沟道FET的信号，或者若V
DD
低于2.5 V ，低门槛
场效应管，如FDV301N 。
A
W
B
V
SS
图44.最大端电压设定为V
DD
和V
SS
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