AD5222–SPECIFICATIONS
参数
符号
(V
DD
= 3V 10％或5伏
除非另有说明）。
条件
10%, V
SS
= 0 V, V
A
= +V
DD
, V
B
= 0 V ， -40℃ <牛逼
A
< + 85℃ ，
民
–1
–1
–30
典型值
1
最大
±
1/4 +1
±
0.4 +1
+30
–35
45
100
0.2 1
单位
最低位
最低位
%
PPM /°C的
%
位
最低位
最低位
最低位
PPM /°C的
最低位
最低位
V
pF
pF
nA
直流特性变阻器模式（规格适用于所有的VRS）
R- DNL
R
WB
, V
A
= NC
电阻差NL
2
2
非线性电阻器
R- INL
R
WB
, V
A
= NC
标称电阻容差
R
V
AB
= V
DD
，雨刮=无连接，T
A
= 25°C
电阻温度COEF网络cient
R
AB
/T
V
AB
= V
DD
，雨刮=无连接
滑动端电阻
3
R
W
I
W
= V
DD
/ R ，V
DD
= 3 V或5 V
标称电阻匹配
R/R
O
CH 1 2，V
AB
= V
DD
, T
A
= 25°C
直流特性电位器分频模式（规格适用于所有的VRS）
决议
N
4
INL
R
AB
= 10 kΩ的， 50 kΩ或100 kΩ的
积分非线性
INL
R
AB
= 1 M
微分非线性
4
DNL
分压器温度系数
V
W
/T
CODE = 40
H
满量程误差
V
WFSE
代码= 7F
H
零刻度误差
V
WZSE
码= 00
H
电阻端子
电压范围
5
电容
6
A，B
电容
6
W
共模漏
数字输入和输出
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入电流
输入电容
6
电源
单电源供电范围
双电源供电范围
正电源电流
负电源电流
功耗
7
电源灵敏度
动态特性
6, 8, 9
带宽的-3 dB
V
A，B ，W
C
A，B
C
W
I
CM
V
IH
V
IL
I
IL
C
IL
V
DD范围
V
DD / SS取值范围
I
DD
I
SS
P
DISS
PSS
BW_10K
BW_50K
BW_100K
BW_1M
THD
W
t
S
e
N_WB
7
–1
–2
–1
–1
0
V
SS
±
1/4
±
1/2
±
1/4
20
–0.5
0.5
+1
+2
+1
+0
1
V
DD
F = 1MHz时，测量到GND ，代码= 40
H
F = 1MHz时，测量到GND ，代码= 40
H
V
A
= V
B
= V
W
V
DD
= 5 V/3 V
V
DD
= 5 V/3 V
V
IN
= 0 V或5 V
2.4/2.1
45
60
1
5
V
SS
= 0 V
V
IH
= 5 V或V
IL
= 0 V
V
SS
= –2.5 V, V
DD
= +2.7 V
V
IH
= 5 V或V
IL
= 0 V, V
DD
= 5 V
2.7
±
2.3
V
0.8/0.6 V
±
1
A
pF
V
V
A
A
W
%/%
千赫
千赫
千赫
千赫
%
s
nV√Hz
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5.5
±
2.7
15
40
15
40
150 400
0.002 0.05
1000
180
78
7
0.005
2
14
总谐波失真
V
W
建立时间
电阻的噪声电压
R
AB
= 10 kΩ的，代码= 40
H
R
AB
= 50 kΩ的，代码= 40
H
R
AB
= 100 kΩ的，代码= 40
H
R
AB
= 500 kΩ的，代码= 40
H
V
A
= 1 V RMS + 2 V DC ，V
B
= 2 V DC ， F = 1千赫
R
AB
= 10 k,
±
1 LSB误差带
R
WB
= 5kΩ的中，f = 1千赫
30
20
20
10
30
20
30
20
40
接口时序特性（适用于所有部分）
6, 10
输入时钟脉冲宽度
t
CH
, t
CL
时钟电平高或低
CS
到CLK建立时间
t
CSS
CS
上升到CLK保持时间
t
CSH
U / D为时钟秋季建立时间
t
UDS
U / D为时钟秋季保持时间
t
UDH
DACSEL时钟秋季建立时间
t
DSS
DACSEL时钟秋季保持时间
t
DSH
MODE键，时钟秋季建立时间
t
MDS
MODE键，时钟秋季保持时间
t
MDH
笔记
1
标准结构代表平均读数在25℃ ，V
DD
= 5 V.
2
电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻抽头之间的理想值之间的偏差。
R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。部分保证单调性。参见图22测试电路。
3
滑动电阻上没有R上测得
AB
= 1 MΩ车型。
4
INL和DNL在V测量
W
与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0 V DNL
规格范围
±1
LSB（最大值）保证单调的工作条件。参见图21测试电路。
5
电阻端子A， B，W对极性没有限制相对于对方。
6
通过设计保证，不受生产测试。
7
P
DISS
从（我计算
DD
×
V
DD
） 。 CMOS逻辑电平输入导致最小的功耗。
8
带宽，噪声和稳定时间取决于所选择的终端电阻值。最低的R值的结果在最快的稳定时间和最高带宽。
最高的R值的结果中的最小总功率消耗。
9
所有的动态特性采用V
DD
= 5 V.
10
看测量值的位置的时序图。所有输入的控制电压从一个电压电平指定其中t =时间t = 2.5纳秒（10％至90％的3 V）和定时
R
F
的1.5V。同时使用V开关特性进行测量
DD
= 5 V或V
DD
= 3 V.
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
第0版
