KSD985/986
典型特征
2.0
I
B
= 220uAI
B
= 200uA
I = 160uA
I
B
= 180uA
B
I
B
= 140uA
10000
V
CE
= 2V
I
C
[A] ，集电极电流
1.6
1.2
I
B
=为100uA
h
FE
，直流电流增益
5.0
I
B
=为120uA
1000
0.8
I
B
= 80uA
0.4
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
100
0.01
0.1
1
10
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ，集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
10
160
I
C
= 1000 I
B
140
胸苷（ ％ ） ，我
C
降额
120
V
BE
（SAT）
100
1
80
S / B
升IM
ITE
d
60
Di
ss
ip
V
CE
（SAT）
40
at
离子
Li
m
20
ITE
d
0.1
0.1
0
1
10
0
25
50
o
75
100
125
150
175
200
I
C
[A] ，集电极电流
T
C
[C] ，外壳温度
图3.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
安全工作区图4.降额曲线
2.50
2.25
10
u
30
I
C
[A] ， COLECTOR CURRENT
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
I
C
[A] ，集电极电流
1
d为
SI P
一件T IO
nL
我MI
3m
s
DC
30
0
1m
us
s
0
10
s
us
TE
b
S/
m
Li
0.1
d
IT ê
0.01
1
10
100
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图5.反向偏压安全工作区
图6.安全工作区
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
