NTB52N10
产品预览
功率MOSFET
52安培， 100伏
特点
N沟道增强模式
2
PAK
源极到漏极二极管的恢复时间等同于离散
快恢复二极管
较高的雪崩能量
I
DSS
和R
DS （ ON）
指定高温
本发明提供用于D安装信息
2
PAK封装
典型应用
http://onsemi.com
52安培
100伏
30毫欧@ V
GS
= 10 V
N沟道
D
PWM电机控制
电源
转换器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至源极电压（R
GS
= 1.0 M)
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 100°C
- 脉冲（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 50伏，V
GS
= 10 VDC ，
I
L（ PK）
= 40 A，L = 1.0 mH的，R
G
= 25
)
热阻
- 结到外壳
- 结到环境
- 结到环境（注1 ）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
100
100
"20
"40
ADC
52
40
156
178
1.43
2.0
-55
+150
800
瓦
W / ℃，
瓦
°C
mJ
1
2
3
D
2
PAK
CASE 418B
方式2
单位
VDC
VDC
VDC
G
S
标记图
＆放大器;引脚分配
4
漏
4
NTB52N10
LLYWW
T
J
, T
英镑
E
AS
1
门
2
漏
3
来源
° C / W
R
θJC
R
θJA
R
θJA
T
L
0.7
62.5
50
260
°C
设备
NTB52N10
NTB52N10 =器件代码
LL
=地点代码
Y
=年
WW
=工作周
订购信息
包
D
2
PAK
D
2
PAK
航运
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
1.当表面安装用最小的FR4板推荐
焊盘尺寸， （铜， 0.412地区
2
).
2.脉冲测试：脉冲宽度= 10
s,
占空比= 2 ％ 。
NTB52N10T4
本文件包含有关正在开发中的产品信息。安森美半导体
保留不另行通知，以更改或终止本产品的权利。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年3月 - 第1版
出版订单号：
NTB52N10/D
